[發明專利]顯示單元有效
| 申請號: | 201310058952.4 | 申請日: | 2010-03-08 |
| 公開(公告)號: | CN103208505A | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 種田貴之;山本哲郎;內野勝秀 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 王安武 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 單元 | ||
本申請是申請號為201010129080.2、申請日為2010年3月8日、發明名稱為“顯示單元”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種包括有機EL(電發光)裝置的顯示單元。
背景技術
最近幾年,在顯示圖像的顯示單元領域中,已經研制出包括發射光可以根據流動電流值改變的電流驅動型光學裝置(諸如有機EL裝置)作為像素的光發射裝置的顯示單元,并且這種顯示單元被商業化制造(例如,見日本未審查專利申請公開No.2008-083272)。
有機EL裝置是與液晶裝置等不同的自發光裝置。因此,包括有機EL裝置的顯示單元(有機EL顯示單元)不需要光源(背光)。因此,在有機EL顯示單元中,與需要光源的液晶顯示單元相比,圖像可見度較高,電耗較低并且裝置響應速度較高。
有機EL顯示單元中的驅動系統同液晶顯示單元一樣包括簡單(無源)矩陣系統和有源矩陣系統。前一個系統具有難于實現較大和較高清晰度的顯示單元的缺點,雖然其結構比較簡單。因此,目前已經積極研發有源矩陣系統。在這樣的系統中,流經為每個像素設置的發光裝置的電流由為每個發光裝置(一般為TFT(薄膜晶體管))所設置的驅動電路中的有源裝置控制。
圖15圖示一般有機EL顯示單元的示意性構造。圖15中所示的顯示單元100包括其中以矩陣狀態布置的多個像素120的顯示部分110以及用于驅動每個像素120的驅動部分(水平驅動電路130、寫入掃描電路140以及功率源掃描電路150)。
每個像素120由紅色用像素120R、綠色用像素120G以及藍色用像素120B組成。如圖16和17所示,像素120R、120G和120B由有機EL裝置121(有機EL裝置121R、121G和121B)以及連接到其的像素電路122組成。圖16圖示像素120R、120G和120B的電路構造。圖17圖示像素120R、120G和120B的布局。
像素電路122由取樣用晶體管Tws、保持電容Cs以及驅動用晶體管TDr組成,并且具有2Tr1C的電路構造。從寫入掃描電路140引出的柵極線WSL沿行方向延伸,并且通過觸點126A連接到晶體管Tws的柵極123A。從功率源掃描電路150引出的漏極線DSL也沿行方向延伸,并且通過引出配線128A連接到晶體管TDr的漏極124C。此外,從水平驅動電路130引出的信號線DTL沿列方向延伸,并且通過觸點126B和引出配線128B連接到晶體管Tws的漏極123C。晶體管Tws的源極123B通過觸點126C連接到驅動用晶體管TDr的柵極124A以及保持電容Cs(端子125A)的一個端部。晶體管TDr的源極124B以及保持電容Cs(端子125B)的另一個端部通過觸點126D連接到有機EL裝置121的陽極127A。有機EL裝置121的陰極127B連接到外部陰極線CTL。
發明內容
圖18圖示沿圖17的線A-A所取得的剖面構造的示例。在與圖17中的線A-A相對應的部分中,像素120R、120G和120B在襯底111上具有柵極絕緣膜112、絕緣保護膜113和絕緣平坦膜114。在襯底111和柵極絕緣膜112之間,形成有柵極124A(端子125A)和柵極123A。
在柵極絕緣膜112和絕緣保護膜113之間并且柵極124A正上方的位置處,形成有溝道131、源極132和124B、漏極133和124C以及保護膜134。溝道131形成為與柵極124A正上方的柵極絕緣膜112接觸。在柵極絕緣膜112和絕緣保護膜113之間并且柵極123A正上方的位置處,形成有溝道135、漏極136和123C、源極137和123B以及保護膜138。
在絕緣平坦膜114上,形成有機EL裝置121。有機EL裝置121具有這樣的結構,例如其中陽極127A、有機層127C和陰極127B按次序從襯底111側疊層。在與陽極127A共面的平面中,設置有陰極輔助配線117,陽極127A和陰極輔助配線117之間具有給定間隙。在陽極127A和陰極輔助配線117之間具有孔徑117A。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





