[發明專利]多層陶瓷電容器及其制造方法有效
| 申請號: | 201310058926.1 | 申請日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN103871742A | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發明(設計)人: | 尹炳權;金亨俊;崔才烈 | 申請(專利權)人: | 三星電機株式會社 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/005 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 余剛;李靜 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層 陶瓷 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種多層陶瓷電容器,包括:
陶瓷本體,所陶瓷本體中堆疊有多個介電層;
多個第一和第二內電極,所述多個第一和第二內電極交替地形成在所述多個介電層上,并且所述多個第一和第二內電極包括第一和第二本體部分以及第一和第二引出部分,所述第一和第二本體部分彼此交迭,所述第一和第二引出部分具有交迭區域且分別從所述第一和第二本體部分的一個表面延伸以暴露于所述陶瓷本體的一個表面;
第一和第二外電極,形成在所述陶瓷本體的一個表面上且分別電連接至所述第一和第二引出部分;以及
絕緣層,形成在所述陶瓷本體的一個表面上并且覆蓋所述第一和第二引出部分的暴露部分,
其中,從所述第一和第二本體部分的端部延伸至所述第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的,并且
當所述第一或第二內電極的長度的一半定義為A、并且從所述陶瓷本體的中心到所述第一或第二引出部分的所述第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時,B/A在0.03至0.90的范圍內(0.03≤B/A≤0.90)。
2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一和第二連接表面是平坦的傾斜表面。
3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電容器,其中,所述第一和第二連接表面是向外凸出的表面。
4.一種制造多層陶瓷電容器的方法,所述方法包括:
通過在第一陶瓷片上形成第一本體部分和第一引出部分而形成第一內電極,所述第一引出部分從所述第一本體部分的一個表面延伸以暴露于所述第一陶瓷片的一個表面;
通過在第二陶瓷片上形成第二引出部分和與所述第一本體部分交迭的第二本體部分而形成第二內電極,所述第二引出部分從所述第二本體部分的一個表面延伸以暴露于所述第二陶瓷片的一個表面并且具有與所述第一引出部分交迭的區域;
通過交替地堆疊和燒結其上形成有所述第一和第二內電極的所述多個第一和第二陶瓷片而形成陶瓷本體;
在所述陶瓷本體的一個表面上形成第一和第二外電極以分別電連接至所述第一和第二引出部分;以及
在所述陶瓷本體的一個表面上形成絕緣層,以便覆蓋所述第一和第二引出部分的暴露部分,
其中,從所述第一和第二本體部分的端部延伸至所述第一和第二引出部分的端部的第一和第二連接表面形成為傾斜的,并且
當所述第一或第二內電極的長度的一半定義為A、并且從所述陶瓷本體的中心到所述第一或第二引出部分的所述第一或第二連接表面的起始點的長度定義為B時,B/A在0.03至0.90的范圍內(0.03≤B/A≤0.90)。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,在所述第一和第二內電極的形成中,所述第一和第二連接表面是平坦的傾斜表面。
6.根據權利要求4所述的方法,其中,在所述第一和第二內電極的形成中,所述第一和第二連接表面是向外凸出的表面。
7.根據權利要求4所述的方法,其中,所述絕緣層的形成包括向所述陶瓷本體的一個表面施加陶瓷漿料以覆蓋所述第一和第二引出部分的整個暴露部分。
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