[發明專利]一種基于BCD工藝的耐高壓基準電流源無效
| 申請號: | 201310058803.8 | 申請日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN103197715A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 季曉鋒;蔣毅強 | 申請(專利權)人: | 無錫凌湖科技有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567;G05F1/569 |
| 代理公司: | 無錫華源專利事務所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 孫力堅 |
| 地址: | 214035 江蘇省無錫市新區太湖國際*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 bcd 工藝 高壓 基準 電流 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路的硬件實現方式,具體涉及一種基于BCD工藝的耐高壓基準電流源。
背景技術
基準電流源是在模擬集成電路中用來作為其他電路的電流的高精度、低溫度系數的電流源。電流源作為模擬集成電路的關鍵電路單元,廣泛應用于運算放大器、A/D轉換器、D/A轉換器中。偏置電流源的復制,然后輸出給系統的其他模塊。因此,電流源的精度直接影響到整個系統的精度和穩定度。所以,經常需要配備不受溫度影響的電流源。
現有的基準電流源技術大多是基于CMOS工藝的,很難應用在高電壓環境中。有鑒于此,一種不受溫度影響、耐高壓的基準電流源已成為迫切的需求。
發明內容
本發明提供一種基于BCD工藝的耐高壓基準電流源,其具有可實現溫度系數為零,以及耐高壓的特點,從而可以產生不隨溫度變化的穩定輸出電流。
本發明的技術方案如下:
一種基于BCD工藝的耐高壓基準電流源,包括第一電路、第二電路以及第三電路;所述第一電路包括運放電路和負溫度系數電路,所述第二電路包括正溫度系數補償電路,所述第三電路包括輸出電路;所述運放電路偏置負溫度系數電路,所述負溫度系數電路輸出負溫度系數的電流至輸出電路;所述正溫度系數補償電路輸出正溫度系數的電流至輸出電路;所述輸出電路綜合所述負溫度系數的電流和所述正溫度系數的電流,輸出零溫度系數的電流。
所述第一電路包括場效應晶體管、反饋環路以及放大器,所述反饋環路以及放大器將場效應晶體管偏置,所述場效應晶體管輸出的電流為負溫度系數的電流;所述第二電路包括電阻以及由四個三極管構成的正溫度系數電路,所述正溫度系數電路的電壓加所述電阻上,得到正溫度系數的電流;所述第三電路包括MOS管以及鏡像管,所述MOS管將第一電路的輸出電流和第二電路的輸電流加權,得到零溫度系數的電流,所述鏡像管將所述零溫度系數的電流鏡像并輸出。
本發明的有益技術效果是:
本發明所提供的基于BCD工藝的耐高壓基準電流源,具有可實現溫度系數為零,以及耐高壓的特點,可以產生不隨溫度變化的穩定輸出電流,廣泛適用于需要較高精度和穩定度的模擬集成電路中。
本發明附加的優點將在下面具體實施方式部分的描述中給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本發明的實踐了解到。
附圖說明
圖1是本發明的結構框圖。
圖2是本發明的電路原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明的具體實施方式做進一步說明。
首先,本發明提出一種產生不受溫度影響的輸出電流的方法。該方法是:將兩個溫度系數相反的電流相加,產生輸出電流。兩個溫度系數相反電流中的第一電流I1為場效應晶體管產生的輸出電流,兩個溫度系數相反電流中的第二電流I2為帶隙電路產生的正溫度系數電壓除以電阻獲得的電流。第一電流I1和第二電流I2相加得出的電流即為不受溫度影響的輸出電流。
本方法的原理如下:為了實現耐高壓,本發明選取場效應晶體管來實現。假如選取夾斷電壓VP很高的場效應晶體管,則勢壘改變引起ID的改變很微小,總的結果取決于電阻率的變化,因此,產生負的凈溫度系數。為了補償上述負溫度系數,利用一個正溫度系數的電流對此進行補償。而兩個三極管的VBE之差是一個與VT有關的函數,為正溫度系數。再用該電壓比上一個電阻就可以得到一個正溫度系數的電流。上述正溫度系數的電流與負溫度系數的電流相加,就得到一個與溫度無關的電流。
圖1示出了本發明的電路模塊框圖,其是上述方法的一種硬件電路實現方式,具體來說,是一種基于BCD工藝的耐高壓基準電流源。其電路結構如圖1所示:由運放電路A、負溫度系數電路B、正溫度系數補償電路C以及輸出電路D共同組成。運放電路A合理的偏置負溫度系數電路B,使其輸出具有負溫度系數;由正溫度系數補償電路C補償負溫度系數電路B的溫度系數;由輸出電路D綜合負溫度系數電路B和正溫度系數補償電路C的輸出電流,最終輸出零溫度系數的電流。
其中,運放電路A和負溫度系數電路B構成第一電路,正溫度系數補償電路C為第二電路,輸出電路D為第三電路。
圖2是圖1的具體電路。如圖2所示:
第一電路:通過由電阻R1、電阻R2、電阻R3和MOS管J1構成的負溫度系數反饋環路和由MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、三極管Q6、三極管Q7構成的放大器的共同設置,將場效應晶體管偏置在適當的環境下,此時由該場效應晶體管輸出的電流為負溫度系數的電流I1。
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