[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310058798.0
• 申請日: 2013-02-25
• 公開（公告）號: CN103794654A
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸在勛;張昌洙;宋寅赫;嚴(yán)基宙;徐東秀
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 北京潤平知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11283
• 代理人: 王鳳桐;周建秋

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求2012年10月29日提交的、名稱為“半導(dǎo)體裝置（Semiconductor?Device）”的韓國專利申請No.10-2012-0120393的優(yōu)先權(quán)，將該申請的全部內(nèi)容通過參考引入本申請中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

通常，半導(dǎo)體裝置分為主動裝置和被動裝置，以及主動裝置在放大時用于配制電路例如穩(wěn)壓器、節(jié)流器、振蕩器、邏輯門等等。

在主動裝置中，二極管被廣泛用作檢測裝置、電流裝置和開關(guān)裝置。二極管代表性的例子包括穩(wěn)壓二極管、變?nèi)荻O管、光電二極管、發(fā)光二極管(LED)、齊納二極管、耿氏二極管、肖特基二極管等等。

在上述二極管中的肖特基二極管（使用具有金屬和半導(dǎo)體的連接的肖特基連接的二極管）具有可能在高速下開關(guān)操作的優(yōu)勢，以及該二極管能夠被低正向電壓驅(qū)動。

通常，肖特基二極管可以由形成肖特基接觸的陽極電極、形成歐姆接觸的陰極電極以及通過AlGaN/GaN的異質(zhì)結(jié)形成的二維電子氣(2DEG)通道構(gòu)成。

本發(fā)明中，在陽極電極和陰極電極之間的電流傳輸通過2DEG通道實(shí)現(xiàn)。

同時，現(xiàn)有技術(shù)的肖特基二極管的結(jié)構(gòu)已經(jīng)在美國專利No.6768146中公開。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明致力于提供一種能夠通過額外形成電流傳輸路徑增加電流傳輸量的半導(dǎo)體裝置。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半導(dǎo)體層；形成在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上的第二氮化物半導(dǎo)體層；形成在所述第二氮化物半導(dǎo)體層的一邊上的陰極電極；具有一端和另一端的陽極電極，所述一端嵌在所述第二氮化物半導(dǎo)體層的另一邊上達(dá)到預(yù)定深度，以及所述另一端與所述陰極電極間隔開并且形成延伸到所述陰極電極的上部；以及在所述陽極電極和所述陰極電極之間的所述第二氮化物半導(dǎo)體層上形成以覆蓋所述陰極電極的絕緣膜。

所述陰極電極可以嵌入所述第二氮化物半導(dǎo)體層達(dá)到預(yù)定深度。

所述絕緣膜可以包括：與所述第二氮化物半導(dǎo)體層接觸的第一部分；以及與所述陰極電極接觸的第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分更厚的厚度。

所述第一氮化物半導(dǎo)體層可以由氮化鎵(GaN)制成。

所述第二氮化物半導(dǎo)體層可以由氮化鋁鎵(AlGaN)制成。

所述絕緣膜可以為氧化膜。

所述氧化膜可以由二氧化硅（SiO₂）制成。

所述陽極電極可以由鎳制成。

所述陰極電極可以為鈦(Ti)/鎳(Ni)/鋁(Al)/金(Au)依次層壓而成。

所述陽極電極可以形成肖特基接觸。

所述陰極電極可以形成歐姆接觸。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，提供了一種半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置包括：基板；形成在所述基板上的第一氮化物半導(dǎo)體層；形成在所述第一氮化物半導(dǎo)體層上的第二氮化物半導(dǎo)體層；形成在所述第二氮化物半導(dǎo)體層的一邊上的陰極電極；具有一端和另一端的陽極電極，所述一端嵌入所述第二氮化物半導(dǎo)體層的另一邊達(dá)到預(yù)定深度，以及所述另一端與所述陰極電極間隔開并且形成延伸到所述陰極電極的上部；以及在所述陽極電極和所述陰極電極之間的所述第二氮化物半導(dǎo)體層上形成以覆蓋所述陰極電極的絕緣膜，其中，所述絕緣膜包括：與所述第二氮化物半導(dǎo)體層接觸的第一部分；以及與所述陰極電極接觸的第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分更厚的厚度。

所述陰極電極可以嵌入所述第二氮化物半導(dǎo)體層達(dá)到預(yù)定深度。

附圖說明

下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述將更清楚的理解本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，其中：

圖1為顯示根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的剖視圖；以及

圖2為顯示在圖1的半導(dǎo)體裝置中與第二氮化物半導(dǎo)體層接觸的絕緣膜的厚度和與陰極電極接觸的絕緣膜的厚度不同的結(jié)構(gòu)的剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對優(yōu)選實(shí)施方式的詳細(xì)描述，將更清晰地理解本發(fā)明的上述及其他目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)。在所有附圖中，相同的參考標(biāo)記用于指代相同或相似的組件，并省略多余的描述。此外，在下面的說明書中，術(shù)語“第一”、“第二”、“一邊”、“另一邊”等等用于將某個元件與其他元件相區(qū)分，且這些元件的結(jié)構(gòu)不受上述術(shù)語的限定。此外，在本發(fā)明的說明書中，當(dāng)相關(guān)技術(shù)的詳細(xì)描述可能模糊本發(fā)明的主旨時，將省略相關(guān)描述。

下文中，將結(jié)合附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。