[發明專利]波長轉換裝置及相關光源系統有效
| 申請號: | 201310058778.3 | 申請日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN103791453A | 公開(公告)日: | 2014-05-14 |
| 發明(設計)人: | 楊毅 | 申請(專利權)人: | 深圳市繹立銳光科技開發有限公司 |
| 主分類號: | F21V9/10 | 分類號: | F21V9/10;F21S2/00;G03B21/20 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山區西麗鎮茶光路10*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 波長 轉換 裝置 相關 光源 系統 | ||
1.一種波長轉換裝置,其特征在于,包括:
基底,包括第一表面,該基底的第一表面上形成有微結構陣列,該微結構陣列包括微結構單元,其中各微結構單元呈凹坑狀;
第一表面上的微結構陣列中各微結構單元的表面上設置有反射層,使得該反射層的表面的起伏與各微結構單元的起伏一致;在第一表面上的反射層上設置有波長轉換層,該波長轉換層的表面的起伏與第一表面的起伏一致。
2.根據權利要求1所述的波長轉換裝置,其特征在于,所述凹坑的底部不為平面。
3.根據權利要求1所述的波長轉換裝置,其特征在于,所述波長轉換層的平均厚度小于或者等于所述微結構陣列中相鄰的兩個微結構單元的平均距離。
4.根據權利要求3所述的波長轉換裝置,其特征在于,所述波長轉換層的平均厚度小于或者等于所述微結構陣列中相鄰的兩個微結構單元的平均距離的0.25倍。
5.根據權利要求1所述的波長轉換裝置,其特征在于,在所述微結構陣列中的各微結構單元的表面上,形成有子微結構陣列,該子微結構陣列包括子微結構單元,其中各子微結構單元呈凹坑狀。
6.根據權利要求1所述的波長轉換裝置,其特征在于,所述基底由硅、金屬或者玻璃制成。
7.一種光源系統,其特征在于,包括如權利要求1至6任一項所述的波長轉換裝置;
還包括用于產生激發光的激發光源,該激發光入射于該波長轉換裝置的基底的第一表面上。
8.根據權利要求7所述的光源系統,其特征在于,
所述微結構陣列中相鄰的兩個微結構單元的平均距離小于或者等于所述激發光的光斑所在的外接圓的直徑的1/4,其中該激發光的光斑指的是在波長轉換裝置接收激發光的表面上,沿平行于波長轉換裝置的方向上對激發光所截到的光斑。
9.根據權利要求8所述的光源系統,其特征在于,
所述激發光的光斑所在的外接圓的直徑大于1mm并小于3mm,所述微結構陣列中相鄰的兩個微結構單元的平均距離大于0.1mm并小于0.3mm,所述波長轉換層的平均厚度大于0.05mm并小于0.2mm。
10.根據權利要求7所述的光源系統,其特征在于,所述激發光的光錐的發散角優選小于或者等于微結構陣列中各微結構單元的底角的平均值。
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