[發明專利]基于金納米粒子修飾碳納米管陣列表面增強拉曼散射的光流控系統有效
| 申請號: | 201310058623.X | 申請日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號: | CN103149193A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發明(設計)人: | 張潔;朱永;龔天誠;范拓 | 申請(專利權)人: | 重慶大學 |
| 主分類號: | G01N21/65 | 分類號: | G01N21/65 |
| 代理公司: | 重慶華科專利事務所 50123 | 代理人: | 康海燕 |
| 地址: | 400030 *** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 納米 粒子 修飾 陣列 表面 增強 散射 光流控 系統 | ||
1.基于金納米粒子修飾碳納米管陣列表面增強拉曼散射的光流控系統,其特征在于:所述光流控系統包括硅基底上的微通道、金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底、激光源、入射光纖、收集光纖、光譜儀和調壓裝置;所述微通道,由相互連通的四個通道組成,第一通道一端封閉,并在封閉端設有一個待測分子入射小孔,第二通道是一個放置入射光纖的通道,與第一通道垂直,兩端不封閉,第三通道是一個放置收集光纖的通道,兩端不封閉,第四通道一端封閉,封閉端設有一個待測分子出射小孔和連接調壓裝置的小孔,第四通道中設置有金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底,作為探測區;所述第二通道和第四通道直線相通,入射光纖正對金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底;所述第一通通道與第二通道和第四通道之間的空間連通,所述第三通道與第四通道連通,收集光纖正對金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底;所述入射光纖連接激光源,收集光纖連接光譜儀;
待測分子由入射小孔進入,流過三維拉曼散射基底,待測分子吸附到拉曼散射基底,調壓裝置保證待測分子在微通道順利流動;激勵光源利用入射光纖將光傳輸到光流控通道中,照射吸附有待測分子的三維表面增強拉曼散射基底,待測分子的散射信號由收集光纖導出到光譜儀,完成待測分子拉曼信號檢測。
2.根據權利要求1所述的基于金納米粒子修飾碳納米管陣列表面增強拉曼散射的光流控系統,其特征在于:所述金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底(2)包括基底(2-1)、基底之上的催化層(2-2)、生長在催化層上的碳納米管陣列(2-3)和附著在碳納米管陣列表面的金納米粒子(2-4);所述三維拉曼散射基底和微通道粘接為一體。
3.根據權利要求2所述的基于金納米粒子修飾碳納米管陣列表面增強拉曼散射的光流控系統,其特征在于:金納米粒子修飾碳納米管三維拉曼散射基底的制作方法是:首先在硅基底上沉積一層金屬作為催化劑;然后采用化學氣相沉積方法,在催化層上長出碳納米管陣列;再通過濺射或旋涂方法將金納米顆粒沉積在碳納米管陣列表面,形成表面增強拉曼散射活性基底。
4.根據權利要求1、2或3所述的基于金納米粒子修飾碳納米管陣列表面增強拉曼散射的光流控系統,其特征在于:所述微通道是采用軟光刻方法在PDMA材料上制作而得。
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