[發(fā)明專利]一種提高薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)電功率的激光劃刻方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310058376.3
• 申請(qǐng)日: 2013-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN103151422A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜兌煥
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東旭集團(tuán)有限公司;成都泰軼斯太陽(yáng)能科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;B23K26/36
• 代理公司: 石家莊眾志華清知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(特殊普通合伙) 13123
• 代理人: 王苑祥

1.一種提高薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)電功率的激光劃刻方法，本方法是在對(duì)前電極TCO膜層（2）進(jìn)行第一次激光劃刻、及對(duì)P、I、N層（3）進(jìn)行第二次激光劃刻的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)的，其特征在于：所述的第一次激光劃刻的刻蝕深度為一個(gè)TCO膜層的厚度，刻蝕軌跡是一條由一組非封閉曲線相連接構(gòu)成的路徑；第二次激光劃刻在第一次激光劃刻所成的每個(gè)非封閉曲線區(qū)域內(nèi)部進(jìn)行刻蝕，刻蝕深度為一個(gè)PIN層的厚度，刻蝕軌跡與非封閉曲線不相通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)電功率的激光劃刻方法，其特征在于：所述的非封閉曲線是波峰狀曲線、或半圓形曲線、或槽型曲線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高薄膜太陽(yáng)能電池發(fā)電功率的激光劃刻方法，其特征在于：第二次激光劃刻的刻蝕軌跡是圓形、或直線型、或矩形、或弧形。