[發明專利]氣相摻雜區熔硅單晶的生產方法無效
| 申請號： | 201310058352.8 | 申請日： | 2013-02-25 |
| 公開（公告）號： | CN103114325A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 劉錚;王彥君;張雪囡;劉嘉;孫健;王遵義;涂頌昊;喬柳;馮嘯桐;孫昊 | 申請（專利權）人： | 天津市環歐半導體材料技術有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/12 | 分類號： | C30B13/12;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津濱?？凭曋R產權代理有限公司 12211 | 代理人： | 李莉華 |
| 地址： | 300384 天津市濱海新區*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 摻雜 區熔硅單晶 生產 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種氣相摻雜區熔硅單晶的生產方法，其特征在于：在等徑保持生長過程中，單晶軸向旋轉的方式為按旋轉周期循環旋轉，所述一個旋轉周期包括兩個以上的旋轉階段，所述每個旋轉階段包括一次順時針旋轉和一次逆時針旋轉，所述各個旋轉階段的旋轉方式不同。
2.根據權利要求1所述的生產方法，其特征在于：所述每個旋轉階段的順時針旋轉的旋轉角度均在90°～5400°范圍內，所述每個旋轉階段的逆時針旋轉的旋轉角度均在90°～5400°范圍內。
3.根據權利要求1所述的生產方法，其特征在于：所述每個旋轉階段的順時針旋轉的轉速大小均在4～20轉/分鐘范圍內，所述每個旋轉階段的逆時針旋轉的轉速大小均在4~20轉/分鐘范圍內。
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