[發明專利]基片補償刻蝕的方法

有效

• 申請號: 201310057688.2
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN104008957A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 王兆祥;劉志強;邱達燕;蘇興才
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種用于等離子處理腔室的基片補償刻蝕的方法，其中，所述基片置于腔室之中的基臺之上進行刻蝕制程，當接收到預警信號時，相應腔室則停止其中對基片的刻蝕制程，待經過一段等待時間執行補償刻蝕，其特征在于，所述方法包括：在所述等待時間期間，停止靜電夾盤上的靜電吸力，維持所述靜電夾盤的冷卻氣體通道中的冷卻氣體。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：停止靜電夾盤中的直流電極上連接的電源，以停止靜電夾盤上的靜電吸力。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述冷卻氣體通道中的冷卻氣體包括氦氣。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述基片背面的氦氣壓力取值范圍為小于5Torr。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述基片背面的氦氣壓力取值為以下任一：1Torr、1.2Torr、2Torr、2.8Torr、3Torr、3.3Torr、4Torr、4.1Torr、5Torr。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，維持所述靜電夾盤的冷卻氣體通道中的氦氣的時間的取值范圍為3min至5min。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，維持所述靜電夾盤的冷卻氣體通道中的氦氣的時間為以下任一：3min、3.1min、3.3min、3.5min、4min、4.6min、4.8min、5min。

8.根據權利要求4至7任一項所述的方法，其特征在于，所述基片背面的氦氣壓力取值范圍和維持所述靜電夾盤的冷卻氣體通道中的氦氣的時間的取值范圍以不將基片去夾持為限。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在補償刻蝕執行完畢后將所述基片去夾持。