[發明專利]液晶顯示面板

有效

• 申請號: 201310057636.5
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN104007593B
• 公開（公告）日: 2016-11-23
• 發明（設計）人: 陳建宏
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1335
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 駱希聰

技術領域

本發明是有關于一種顯示面板，且特別是有關于一種液晶顯示面板。

背景技術

近年來，液晶顯示面板已經廣泛應用于電子產品的顯示屏幕。液晶顯示面板有許多不同的形式，包括扭轉向列(Twister?Nematic,TN)，超扭曲向列(Super?Twisted?Nematic,STN)，平面切換(In-Plane?Switching,IPS)，多區域垂直排列(Multi-domain?Vertical?Alignment,MVA)等。當施加垂直電場或水平電場時可以控制液晶分子的旋轉方向，并調變光的偏振方向，進而影響光通過量而造成亮態及暗態的反差作為顯示結果。

液晶顯示面板包括多個像素區域，各個像素區域可分為非開口區及開口區。非開口區設置有薄膜晶體管及信號走線，而開口區以外的區域則定義為非開口區。傳統液晶顯示面板的黑色矩陣(Black?Matrix,BM)會設置于非開口區，且與非開口區大小相等，以防止非開口區產生漏光現象。然而，黑色矩陣與非開口區大小相等將造成開口率下降，且增加生產成本，進而降低市場競爭力。

發明內容

本發明提出一種液晶顯示面板，其黑色矩陣僅設置于像素區域中的晶體管區，而不延伸至非晶體管區。如此一來，將能提高開口率，并降低生產成本，進而提高是產競爭力。

根據本發明，提出一種液晶顯示面板。液晶顯示面板包括信號線、第一介電層、液晶層、像素電極及薄膜晶體管。第一介電層形成于信號線及薄膜晶體管上，且第一介電層的介電常數為ε1。液晶層的平均介電常數為ε2，且ε2大于ε1。像素電極與信號線相鄰，信號線至第一介電層邊緣的距離為d1，且第一介電層邊緣至像素電極邊緣的距離為d2。當時，信號線至像素電極邊緣間區域的穿透率會小于0.1%，Vth為使液晶層的穿透率開始增加的一臨限電壓。當信號線為數據線時，Vd為使液晶顯示面板達最大穿透率的驅動電壓Vac。當信號線為掃描線時，Vd為V_GL與像素電極間的電壓差，其中V_GL為掃描線的柵極低電壓。

附圖說明

為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明，其中：

圖1繪示一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖2繪示穿透率隨電壓變化的示意圖。

圖3繪示依照第一實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖4繪示依照第二實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖5繪示依照第三實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖6繪示依照第四實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖7繪示依照第五實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

圖8繪示依照第六實施例的一種液晶顯示面板的剖面圖。

主要元件符號說明：

1、1（1）、1（2）、1（3）、1（4）、1（5）、1（6）：液晶顯示面板

1a：晶體管區域

1b：非晶體管區域

1c：開口區

9：金屬層

10：保護層

11：信號線

12：第一介電層

12a、12c：絕緣層

12b、19：彩色濾光層

13：液晶層

14、14’：像素電極

15：薄膜晶體管

16、17：玻璃基板

18：黑色矩陣

20：平坦層

21：突起物

22、23：偏光板

d1、d2：距離

Cgd1、Cgd2：雜散電容

Vac：最大穿透率的驅動電壓

Vth：臨限電壓

Vd：電壓

具體實施方式

請同時圖1及圖2，圖1繪示一種液晶顯示面板的剖面圖，圖2繪示穿透率隨電壓變化的示意圖。液晶顯示面板1包括金屬層9、保護層10、信號線11、第一介電層12、液晶層13、像素電極14、像素電極14’、薄膜晶體管15、玻璃基板16、玻璃基板17、黑色矩陣(Black?Matrix,BM)18突起物21、偏光板22及偏光板23。液晶顯示面板1可分為非開口區及開口區1c。非開口區進一步包括晶體管區域1a及非晶體管區域1b，非晶體管區域1b是指晶體管區域1a邊緣至最接近的像素電極14邊緣間的區域，且非晶體管區域1b位于晶體管區域1a與開口區1c之間。