[發明專利]一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器

無效

• 申請號: 201310057510.8
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103984171A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 翟應騰;樓均輝;姜文鑫;吳勇
• 申請（專利權）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及平板顯示技術領域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。

背景技術

隨著對信息顯示的關注和對便攜式信息介質的需求的增加，對平板顯示技術的研究正在蓬勃展開。其中，薄膜晶體管液晶顯示（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,簡稱TFT-LCD）由于具有微功耗、低工作電壓、無X射線輻射、高清晰度、小體積等優點，目前廣泛應用于手機、掌上電腦（Personal?Digital?Assistant,PDA）等便攜式電子產品中。隨著顯示屏的尺寸、分辨率以及顯示顏色種類的不斷增加，實現低功耗和高亮度顯示是目前TFT-LCD的主要發展方向，這就對TFT的結構和制造工藝提出了更高的要求。通常，薄膜晶體管液晶顯示器包括彩膜基板、陣列基板以及填充于所述彩膜基板和陣列基板之間的液晶。其中，在陣列板上設置有多個薄膜晶體管（TFT）。

如圖1所示，TFT100包括：柵極101、形成于所述柵極101上的柵極絕緣層102、形成于所述柵極絕緣層102上的半導體有源層103、形成于所述柵極絕緣層102和部分半導體有源層103上的源極/漏極104、形成于半導體有源層103上并在所述源極/漏極104之間的刻蝕阻擋層105。為了提高TFT?100的電子遷移率，半導體有源層103可以選用氧化物半導體材料。源極/漏極104搭接在部分半導體有源層103上，并與所述刻蝕阻擋層105覆蓋保護半導體有源層103。

在所述TFT?100的制造過程中，通常先經過第一次光刻形成刻蝕阻擋層105，并暴露出部分半導體有源層103；然后在經過第二次光刻形成源極/漏極104，并使源極/漏極104搭接在暴露出的部分半導體有源層103上。如圖1所示，為了保證將所述半導體有源層103全部覆蓋，所述源極/漏極104要覆蓋部分刻蝕阻擋層105。可見，TFT?100的溝道的長度是由刻蝕阻擋層105的長度決定的。限于光刻工藝的最小工藝特征尺寸，第一次光刻工藝的最小工藝特征尺寸會與第二次光刻工藝的最小工藝特征尺寸相互疊加，從而使刻蝕阻擋層105的長度不可能做太短，否則會引起源極和漏極的短接。也就是說，TFT?100的溝道長度不可能做太短，從而影響到TFT?100的開口率、開關態電流以及開關跳變電壓。

為此，提出了如圖2所示的TFT?200，TFT?200包括柵極201、形成于所述柵極201上的柵極絕緣層202、形成所述柵極絕緣層202上的源極/漏極203、形成于所述源極/漏極203之間的柵極絕緣層202上的半導體有源層204，其中，半導體有源層204搭接在部分源極/漏極203上。在TFT?200中，溝道的長度直接取決于源極/漏極203之間的長度，溝道的長度僅受到形成源極/漏極203一道光刻工藝的最小工藝特征尺寸的限制。但是，在TFT?200的制造過程中，在刻蝕形成源極/漏極203刻蝕過程中，殘留在源極/漏極203之間的金屬或者刻蝕液會污染作為半導體有源層202的氧化物半導體，從而使源極/漏極203發生短路，導致TFT?200失效。

綜上所述，在采用氧化物半導體材料作為半導體有源層的TFT中，在將溝道做短的前提下，無法避免刻蝕殘留對半導體有源層的污染問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以解決現有技術中氧化物半導體的TFT在短溝道的前提下，刻蝕殘留污染造成的失效率上升的問題，從而實現在提高顯示品質的同時提高良率的目的。

為解決上述技術問題，本發明提供一種陣列基板，包括一基板、形成于所述基板上的多條數據線和多個TFT，所述TFT包括源極/漏極和氧化物半導體有源層，所述數據線由第一導電層和形成于所述第一導電層上的第二導電層形成，所述源極/漏極由第一導電層形成，所述氧化物半導體有源層形成于所述源極/漏極之間，并搭接在所述源極/漏極上，所述第一導電層的材料為透明金屬氧化物。

可選的，在所述陣列基板上，所述透明金屬氧化物為氧化銦錫或氧化銦銻。

可選的，在所述陣列基板上，所述透明金屬氧化物的厚度為

可選的，在所述陣列基板上，所述TFT還包括：

形成于所述基板上的柵極；以及

形成于所述柵極上的柵極絕緣層；

其中，所述源極/漏極和氧化物半導體有源層形成于所述柵極絕緣層上。

可選的，在所述陣列基板上，所述柵極的材料為Cr、Mo、Al、Ti、Nb、Cu中一種或者幾種金屬的合金。

可選的，在所述陣列基板上，所述柵極的厚度為