[發(fā)明專利]電致變色顯示器件及其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310057369.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-02-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103116239A | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 陳娟;周曉東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G02F1/153 | 分類號(hào)： | G02F1/153 |
| 代理公司： | 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002 | 代理人： | 王瑩 |
| 地址： | 100015 *** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 變色 顯示 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種電致變色顯示器件，包括第一基板、第二基板以及分布于第一基板和第二基板之間的電致變色流體，所述第一基板和所述第二基板包括襯底和像素電極層，其特征在于，
所述第一基板上設(shè)置有多個(gè)凹槽，所述電致變色流體分隔置于所述凹槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述電致變色顯示器件，其特征在于，所述襯底為玻璃襯底、聚合物襯底或者復(fù)合材料襯底。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述凹槽底部設(shè)置有第一像素電極層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述凹槽深度為20微米至80微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致變色顯示器件，其特征在于，所述第二基板上設(shè)置有薄膜晶體管和第二像素電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致變色顯示器件，其特征在于，電致變色流體包括：電致變色材料和電解質(zhì)，所述電致變色材料包括紫羅精類材料。
7.一種電致變色顯示器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
第一基板上形成凹槽；
在所述凹槽底面形成像素電極層；
向凹槽內(nèi)注入電致變色流體；
第一基板與第二基板對(duì)盒。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，
所述在第一基板上形成凹槽，采用化學(xué)減薄法或機(jī)械減薄法。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，
所述向凹槽內(nèi)注入電致變色流體步驟后，向電致變色流體通入氮?dú)庖匀コ鯕狻?/p>
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，
在第一基板非凹槽區(qū)域涂覆封框膠，
利用封框膠粘合作用使第一基板與第二基板結(jié)合。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學(xué)；光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
