[發明專利]一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法

在審

• 申請號: 201310057305.1
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103329934A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 邵鵬飛
• 申請（專利權）人: 邵鵬飛
• 主分類號: A01N59/00
• 分類號: A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00
• 代理公司: 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；

（2）提供pH值調節單元；

（3）將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。

2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5.08-7.08間，其氧化還原電位為600-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和為10^-10-0.1mol/L。

3.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（1）中還包括：對所述有效氯提供單元進行降低戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和的預處理。

4.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（2）中還包括：對所述pH值調節單元進行降低戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和的預處理。

5.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（3）中還包括：對所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和的后處理。

6.如權利要求3或4或5所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述降低戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和的處理方法可選自加入化學失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。

7.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述pH值調節單元包含酸性物質、堿性物質或酸性物質與堿性物質的組合。

8.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的pH值調節單元和有效氯提供單元；所述有效氯提供單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。

9.如權利要求8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5.08-7.08間，其氧化還原電位為600-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和為10^-10-0.1mol/L。

10.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。

11.如權利要求10所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在5.08-7.08間，其氧化還原電位為600-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其戊二酸、戊二酸氫根離子、戊二酸根離子的含量之和為10^-10-0.1mol/L。