[發明專利]氮化物半導體結構有效
| 申請號： | 201310057224.1 | 申請日： | 2013-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN103633213A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 廖宸梓;胡智威;方彥翔;宣融 | 申請（專利權）人： | 財團法人工業技術研究院 |
| 主分類號： | H01L33/12 | 分類號： | H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 祁建國;梁揮 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 結構 | ||
1.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：
硅基板，包括表面，所述表面與垂直(111)晶面的軸之間具有大于0度且小于等于0.5度的傾斜角度；
AlN層，形成于所述硅基板的所述表面上；
AlGaN層，形成于所述AlN層上；以及
GaN層，形成于所述AlGaN層上，其中所述AlGaN層的Al含量在從所述AlN層側往所述GaN層側的厚度方向上降低。
2.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的所述Al含量在從所述AlN層側往所述GaN層側的厚度方向上連續降低。
3.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的所述Al含量在從所述AlN層側往所述GaN層側的厚度方向上階梯式降低。
4.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的厚度在0.5μm~2μm之間。
5.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板的所述表面包括多數個矩形突起。
6.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板為單晶結構。
7.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板的材料包括摻雜V族元素的硅。
8.如權利要求1所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述GaN層為多層結構，所述多層結構包括多層GaN膜。
9.如權利要求8所述的氮化物半導體結構，其特征在于，還包括第一AlN中間層，位于所述GaN層與所述AlGaN層之間。
10.如權利要求8所述的氮化物半導體結構，其特征在于，還包括第二AlN中間層，位于兩兩所述GaN膜之間。
11.一種氮化物半導體結構，其特征在于，包括：
硅基板；
AlN層，形成于所述硅基板的表面上；
AlGaN層，形成于所述AlN層上，其中所述AlGaN層的晶格常數變異率在5.08%/μm到1.27%/μm之間；以及
GaN層，形成于所述AlGaN層上。
12.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的Al含量在從所述AlN層側往所述GaN層側的厚度方向上連續降低。
13.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的Al含量在從所述AlN層側往所述GaN層側的厚度方向上階梯式降低。
14.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述AlGaN層的厚度在0.5μm~2μm之間。
15.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板的所述表面與垂直(111)晶面的軸之間具有大于0度且小于等于0.5度的傾斜角度。
16.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板的所述表面包括多數個矩形突起。
17.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板為單晶結構。
18.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述硅基板的材料包括摻雜V族元素的硅。
19.如權利要求11所述的氮化物半導體結構，其特征在于，所述GaN層為多層結構，所述多層結構包括多層GaN膜。
20.如權利要求19所述的氮化物半導體結構，其特征在于，還包括第一AlN中間層，位于所述GaN層與所述AlGaN層之間。
21.如權利要求19所述的氮化物半導體結構，其特征在于，還包括第二AlN中間層，位于兩兩所述GaN膜之間。
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