[發明專利]一種可用于超高速電光采樣的電光波導

無效

• 申請號: 201310057102.2
• 申請日: 2013-02-22
• 公開（公告）號: CN103135263A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 梁華偉;阮雙琛;張敏;蘇紅
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 陳健

1.一種可用于超高速電光采樣的電光波導，其特征在于，所述電光波導包括AlGaAs芯層和位于所述AlGaAs芯層兩側的AlGaAs包層，所述兩側的AlGaAs包層的外側分別設有電極；所述兩側的AlGaAs包層對輸入的飛秒激光的折射率相同，且低于所述AlGaAs芯層對輸入的飛秒激光的折射率。

2.如權利要求1所述的電光波導，其特征在于，所述兩側的AlGaAs包層對輸入的飛秒激光的折射率與所述AlGaAs芯層對輸入的飛秒激光的折射率滿足下述關系:

其中，n₁、n₂分別為波導芯層和包層的折射率，a為波導芯層的厚度，λ為入射的飛秒激光的波長。

3.如權利要求2所述的電光波導，其特征在于，所述入射光波長為1.064μm，所述兩側的AlGaAs包層的折射率為3.52，厚度為8μm；所述AlGaAs芯層的折射率為3.53，厚度為2μm。

4.如權利要求3所述的電光波導，其特征在于，所述電光波導中所傳導的光的場分布為兩個正交模場的線性組合，且兩個正交模在所述電光波導輸出截面的相位差隨外加電壓呈線性變化。