[發明專利]等離子處理裝置以及試料臺有效
| 申請號: | 201310057014.2 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN103972130B | 公開(公告)日: | 2018-06-05 |
| 發明(設計)人: | 楠本廣則;大本豐;中本和則;永井宏治 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子處理裝置 加熱器 試料臺 晶片 室內 等離子處理 發熱量調節 處理效率 晶片放置 區域對應 溫度調節 真空容器 高速化 試料 外周 配置 | ||
1.一種等離子處理裝置,是將晶片放置在配置于真空容器內部的處理室內的試料臺上,使用在上述處理室內形成的等離子處理上述晶片的等離子處理裝置,其中,
上述等離子處理裝置包括多個加熱器,上述多個加熱器被配置在具有圓筒形狀的上述試料臺的內部,上述試料臺的內部配置有圓板或圓筒形狀的基材,上述多個加熱器被配置于上述基材的上方,并且上述多個加熱器被配置在關于從上述基材的中心朝向外周側的徑向以及上述中心周圍的圓周方向被分成的多個區域內,
上述等離子處理裝置還包括:
控制部,調節這些多個加熱器的發熱量;以及
高頻電源,對上述基材供給高頻電力而在上述晶片的上方形成偏置電位,
關于上述徑向被分成的上述多個區域各自包括在上述中心周圍的圓周方向上延伸的圓弧狀的區域,在關于該徑向被分成的多個區域的相鄰的區域中,徑向外側的區域的上述圓弧狀的區域具有沿著上述基材的中心周圍的圓周方向的整周被分成多個而配置的多個區域,被分成多個的該區域的個數比上述相鄰的徑向內側的區域的上述圓弧狀的區域的個數多,在關于上述徑向被分成的多個區域中的徑向外側的區域的至少一個區域中,一個該圓弧狀的區域的被分成多個的上述區域分別配置有上述多個加熱器中的一個,該多個加熱器相對于一個直流電源串聯連接構成串聯電路,并且
上述串聯電路包括:多個調節器,與構成上述串聯電路的上述多個加熱器分別并聯連接而構成該電路,并且調節流過各自被并聯連接的各個加熱器的電流的量;供電用線路,用于供應來自上述直流電源的電力,其中,構成上述串聯電路的上述多個加熱器中的一個加熱器和關于上述圓周方向與該一個加熱器鄰接的另一個加熱器分別連接于上述直流電源;以及用于上述高頻電力的濾波器,在該供電用線路上配置在上述多個加熱器和上述直流電源之間,上述控制部具有調節上述多個調節器的功能,通過該控制部調節上述多個加熱器各自的發熱量。
2.根據權利要求1所述的等離子處理裝置,其特征在于:
在關于上述徑向被分成的上述多個區域中的各個區域中串聯配置的上述多個加熱器各自相對于直流電源串聯配置構成電路,并且上述等離子處理裝置包括多個調節器,上述多個調節器與上述串聯電路的各個加熱器并聯連接構成上述電路,并且上述多個調節器調節流過各自被并聯連接的各個加熱器的電流的量。
3.根據權利要求1或者2所述的等離子處理裝置,其特征在于:
上述調節器配置在上述試料臺的上述基材的下方內部設置成大氣壓的空間,上述濾波器配置在上述真空容器的外部。
4.根據權利要求3所述的等離子處理裝置,其特征在于:
上述調節器針對上述高頻電力的阻抗比上述電路的上述加熱器和上述直流電源之間的阻抗明顯小。
5.根據權利要求1或者2所述的等離子處理裝置,其特征在于:配置于關于上述徑向分成的多個區域的上述多個加熱器各自和與各自對應的直流電源電連接,所提供的電力由上述控制部調節。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





