[發明專利]發光二極管芯片制作方法有效
| 申請號： | 201310056811.9 | 申請日： | 2013-02-22 |
| 公開（公告）號： | CN103107259A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發明（設計）人： | 潘群峰 | 申請（專利權）人： | 廈門市三安光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/28 | 分類號： | H01L33/28;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361009 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 芯片 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.發光二極管芯片制作方法，包括步驟：
在襯底上外延生長氮化鎵基發光外延層；
在氮化鎵基發光外延層上外延生長氧化鋅層；
在氧化鋅層上沉積保護層；
采用激光正面劃片定義切割道，激光燒蝕切割道上的保護層、氧化鋅層、氮化鎵基發光外延層和部分襯底；
去除激光燒蝕殘留物；
去除所述保護層和氧化鋅層。
2.根據權利要求1所述的發光二極管芯片制作方法，其中外延生長氧化鋅層的方式包括金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）和物理氣相沉積（PVD）。
3.根據權利要求1所述的發光二極管芯片制作方法，其中外延生長氧化鋅層的溫度介于500~1000℃。
4.根據權利要求3所述的發光二極管芯片制作方法，其中外延生長氧化鋅層的溫度為700℃。
5.根據權利要求1所述的發光二極管芯片制作方法，其中外延生長氧化鋅層的厚度為0.1~10微米。
6.根據權處要求5所述的發光二極管芯片制作方法，其中外延生長氧化鋅層的厚度為1微米。
7.根據權利要求1所述的發光二極管芯片制作方法，其中保護層的材料為耐酸性材料。
8.根據權利要求7所述的發光二極管芯片制作方法，其中保護層的材料選自二氧化硅、氮化硅、氧化鈦、氧化鋁、氧化鎵、氧化銦、氧化錫及其組合。
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