[發明專利]掩模板有效
| 申請號: | 201310056668.3 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN103149790A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發明(設計)人: | 黎午升 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/00 | 分類號: | G03F1/00 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 模板 | ||
1.一種掩模板,所述掩模板包括不透光區和狹縫狀透光區,所述狹縫狀透光區設置有狹縫,其特征在于,所述狹縫的邊緣為連續的凹狀圓弧構成的曲線。
2.權利要求1所述的掩模板,其特征在于,所述狹縫兩側邊緣的凹狀圓弧的沿中心軸對稱。
3.權利要求2所述的掩模板,其特征在于,所述凹狀圓弧為半圓弧。
4.權利要求3所述的掩模板,其特征在于,所述狹縫包括第一狹縫和第二狹縫,所述第一狹縫與第二狹縫之間存在拐角,所述第一狹縫與第二狹縫之間通過拐角凹狀圓弧連接。
5.權利要求4所述的掩模板,其特征在于,所述拐角分為內角和外角,所述第一狹縫與第二狹縫在拐角處通過內角凹狀圓弧和外角凹狀圓弧連接。
6.權利要求5所述的掩模板,其特征在于,所述內角凹狀圓弧為以第一狹縫的凹狀圓弧半徑與第二狹縫的凹狀圓弧半徑的平均值為半徑,內角凹狀圓弧角度為拐角角度的凹狀圓弧。
7.權利要求5所述的掩模板,其特征在于,當內角兩側凹狀圓弧相互重疊時,刪除相互重疊部分的凹狀圓弧,所述內角凹狀圓弧為以內角頂點到刪除后距內角頂點距離最近的凹狀圓弧端點之間的距離為半徑,內角凹狀圓弧角度為拐角角度的凹狀圓弧。
8.權利要求6或7任意一項所述的掩模板,其特征在于,所述外角兩側的凹狀圓弧曲線分別向外角頂點延伸,所述凹狀圓弧曲線在延伸到距離外角頂點小于各自凹狀圓弧直徑處停止,所述外角凹狀圓弧為以所述凹狀圓弧曲線停止處的兩端點之間的距離為直徑的半圓弧。
9.權利要求6或7任意一項所述的掩模板,其特征在于,所述外角兩側的凹狀圓弧曲線分別向外角頂點延伸,所述凹狀圓弧曲線在延伸到距離外角頂點小于各自直徑處停止,所述外角凹狀圓弧為以所述凹狀圓弧曲線停止處的兩端點及外角頂點為頂點的外接圓弧。
10.權利要求5所述的掩模板,其特征在于,當拐角角度為180度時,所述內角凹狀圓弧與所述外角凹狀圓弧同化為連接圓弧,所述連接圓弧為以第一狹縫和第二狹縫內徑差的一半為半徑的1/4圓弧。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





