[發明專利]一種用于反應源瓶的取放裝置有效
| 申請號: | 201310056628.9 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN103132052A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 蘭云峰;龍睿芬;李一吾;蘇艷波 | 申請(專利權)人: | 北京七星華創電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/448;C23C16/455 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 王瑩 |
| 地址: | 100015 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 反應 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及半導體設備的安裝工藝領域,尤其涉及一種用于反應源瓶的取放裝置。
背景技術
目前半導體工藝設備上使用的反應源瓶大多是采用直接安裝式的結構,在工藝結束且反應源瓶需要更換時,需要對反應源瓶進行拆卸及更換。但是直接安裝式在取放反應源瓶和接口保護上有一定的局限性,因為這種直接安裝式的結構很難將反應源瓶輕易拆卸并取出更換,進一步由于反應源瓶口采用硬聯接方式,雖擰松后可拆卸源瓶,但直接拆除對聯接的接口破壞影響極大,而對于多復合管路連接,直接安裝式的結構已經不能滿足正常安裝的需求。
發明內容
(一)要解決的技術問題
針對上述缺陷,本發明要解決的技術問題是如何將反應源瓶平穩移出,減少聯接接口處的破壞與磨損。
(二)技術方案
為解決上述問題,本發明提供了一種用于反應源瓶的取放裝置,所述取放裝置包括:兩枚調整螺柱和調整支撐板;
所述兩枚調整螺柱分別在所述反應源瓶的兩側,并且所述調整螺柱與所述調整支撐板螺紋連接,通過調節所述調整螺柱的螺紋位置控制所述調整支撐板的升降,進而調節所述反應源瓶的升降位置。
優選地,所述取放裝置還包括導向軸套、導向軸,所述導向軸套具有彈塑特性,且所述導向軸套套裝在所述導向軸上,所述導向軸在所述導向軸套內滑動;
所述導向軸套固定在所述調整支撐板的固定孔內,調節所述調整螺柱的不同螺紋位置時所述導向軸套被不同程度的壓縮。
優選地,所述取放裝置還包括兩枚導向軸固定螺釘,分別在所述反應源瓶的兩側,且與所述兩枚調整螺釘在所述反應源瓶的底部外側間隔均勻分布,用于固定所述導向軸。
優選地,所述取放裝置還包括導軌、導軌固定板和導軌支撐板,所述導軌分為上、下兩片,所述導軌的上片安裝在所述導軌固定板的下側,所述導軌的下片安裝在所述導軌支撐板的上側。
優選地,所述導軌固定板與所述導向軸固定螺釘螺紋連接,使得所述導軌固定板與所述調整支撐板形成固定連接,所述導軌固定板的上側與所述導向軸套固定連接。
優選地,所述取放裝置還包括隔熱盤,所述隔熱盤與所述反應源瓶的底部緊密連接,所述隔熱盤通過螺紋連接裝在所述調整支撐板上,使得移動所述調整支撐板時間接帶動所述反應源瓶的移動。
優選地,所述隔熱盤、所述調整支撐板、所述導軌固定板、所述導軌和所述導軌支撐板按從上向下的順序分布。
優選地,所述取放裝置還包括導向軸防液臺和調整螺柱防液臺,用于防止所述反應源瓶中泄漏的液體流進所述導向軸和所述調整螺柱,所述導向軸防液臺位于所述導向軸周圍,所述調整螺柱防液臺位于所述調整螺柱周圍。
優選地,所述取放裝置還包括接液盤和排液器,用于當反應源瓶中有液體泄漏時所述接液盤用來承接泄露的液體,并通過所述排液器進行排液。
優選地,所述接液盤上設有監測器和報警器,所述監測器用于檢測所述接液盤上是否有泄漏的液體,如果有,則所述報警器發出警報。
(三)有益效果
本發明提出了一種用于反應源瓶的取放裝置,能夠在松開反應源瓶接口連接后,對調整螺柱進行調節,拉動導軌固定板輕松移出反應源瓶,還可以減少移出過程中由于操作不當對接口處的破壞影響,通過平穩的導軌將反應源瓶滑出也對反應源瓶內流體起到積極的紊流作用,更有利于對反應源瓶的安裝及維護要求。
附圖說明
圖1為一種用于反應源瓶的取放裝置的整體組成結構示意圖;
圖2為一種用于反應源瓶的取放裝置中的調整結構剖視圖;
圖3為一種用于反應源瓶的取放裝置中的導向軸結構剖視圖。
其中各編號代表結構如下:
1、反應源瓶,2、源瓶控溫套,3、隔熱盤,4、調整螺柱,5、調整支撐板,6、調整螺柱防液臺,7、接液盤,8、導軌固定板,9、導軌支撐板,10、導向軸,11、導向軸套,12、導向軸防液臺,13、導軌,14、導向軸固定螺釘,15、排液器。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
本發明實施例中提供了一種用于反應源瓶的取放裝置,整體組成結構如圖1所示,包括以下結構:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





