[發明專利]刷新控制電路和包括刷新控制電路的半導體存儲器件

無效

• 申請號: 201310056456.5
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103680593A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 李榮燮
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C11/406
• 分類號: G11C11/406;G11C11/4063
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年8月30日提交的申請號為10-2012-0095369的韓國專利申請的優先權，其全部內容通過引用合并于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及一種半導體設計技術，更具體而言，涉及一種調整對存儲器單元執行刷新操作的周期的刷新控制電路以及包括刷新控制電路的半導體存儲器件。

背景技術

動態隨機存取存儲器（DRAM）的存儲器單元包括晶體管和電容器。數據的存儲取決于電容器的電壓。儲存的數據由于電容器的電荷損耗而丟失。為了防止電荷損耗，要在電荷損耗之前將電容器完全地再充電。這種再充電操作被稱作為“刷新”。存在兩種類型的刷新操作：自動刷新操作和自我刷新操作。

刷新操作帶來集成電路的功耗。將通過參照圖1來描述為了減小由于刷新操作而產生的功耗的現有技術。

圖1是說明現有半導體存儲器件的框圖，所述現有半導體存儲器件基于模式信息響應于單次刷新命令來調整執行刷新操作的存儲體（memory?bank）的數目。

如圖1所示，現有半導體存儲器件包括存儲體組31至34、選擇信號激活單元10以及行地址計數器20。

存儲體組31至34中的每個包括至少一個存儲體。

存儲體組31至34中的每個響應于相對應的存儲體組選擇信號BKG_ACT1至BKG_ACT4而被選中。

在下文中，為了便于描述，存儲體組31至34中的每個為一個存儲體。

選擇信號激活單元10響應于模式信息MODE_INF來激活存儲體組激活信號BKG_ACT1至BKG_ACT4，所述存儲體組激活信號BKG_ACT1至BKG_ACT4選擇執行刷新操作的存儲體組31至34。模式信息MODE_INF指示三種模式中的一種。當模式信息MODE_INF指示第一模式時，對所有存儲體組31至34執行刷新操作。當模式信息MODE_INF指示第二模式時，對存儲體組31至34中的一對執行刷新操作。當模式信息MODE_INF指示第三模式時，對各存儲體組31至34執行刷新操作。響應于激活的刷新脈沖REFP的施加來執行每個刷新操作。

刷新脈沖REFP基于刷新命令而被激活。

行地址計數器20基于激活的刷新脈沖REFP的每預定數目次的施加來改變行地址RADD。所述預定數目取決于模式信息MODE_INF的值。

在第一模式中，每當施加刷新脈沖REFP，就改變行地址RADD。在第一模式中，行地址RADD可以具有值“0”。當第一次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20將行地址RADD的值從“0”變成“1”。當第二次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20將行地址RADD的值從“1”變成“2”。

在第二模式中，在施加了兩次刷新脈沖REFP時改變行地址RADD的值。在第二模式中，行地址RADD可以具有值“0”。當第一次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20保持值為“0”的行地址，而當第二次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20將行地址RADD的值從“0”變成“1”。即，在施加了兩次激活的刷新脈沖REFP時行地址計數器20順序地改變行地址RADD的值。

在第三模式中，在施加了四次刷新脈沖REFP時改變行地址RADD的值。在第三模式中，行地址RADD可以具有值“0”。當第一次、第二次以及第三次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20保持值為“0”的行地址RADD。當第四次施加激活的刷新脈沖REFP時，行地址計數器20將行地址RADD的值從“0”變成“1”。即，在每第四次施加激活的刷新脈沖REFP時行地址計數器20順序地改變行地址RADD的值。

從刷新脈沖REFP的施加時刻起經過刷新循環周期tRFC之后（即，在執行刷新操作之后），行地址計數器20改變行地址RADD。

這里，刷新循環周期tRFC表示響應于刷新脈沖REFP的激活而對半導體存儲器件中的所有存儲體的特定字線完成刷新操作的時間點。刷新循環周期tRFC被包括在平均周期性刷新間隔tRFI之內。

平均周期性刷新間隔tRFI表示刷新脈沖的平均激活間隔。平均周期性刷新間隔tRFI可以說成包括刷新循環周期tRFC和用于讀取/寫入操作的周期。

刷新循環周期tRFC和平均周期性刷新間隔tRFI基于模式信息MODE_INF而變化。