[發明專利]用于多頻率RF 脈沖的頻率增強阻抗依賴的功率控制

有效

• 申請號: 201310056412.2
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN103295865A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 約翰·C·小瓦爾考;布拉德福德·J·林達克
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于在具有至少一個等離子體處理室的等離子體處理系統中處理襯底的方法，所述等離子體處理室采用多個RF功率供應器以在所述處理過程中在所述等離子體處理室內維持等離子體，所述方法包括：

對所述多個RF功率供應器中的第一RF功率供應器施以脈沖以在高功率狀態和低功率狀態之間傳遞第一RF信號，其中所述施以脈沖在第一脈沖頻率被實施；

以固定頻率模式運行所述多個RF功率供應器中的第二RF功率供應器從而所述第二RF功率供應器不被允許自調諧由所述第二RF功率供應器輸出的第二RF信號的頻率且從而所述第二RF信號以至少兩個固定的交替RF頻率值運行：第一RF頻率值和第二RF頻率值，其中在學習階段，當所述第二RF功率供應器運行在頻率自調諧模式從而響應于在低于所述第一脈沖頻率的第二脈沖頻率在所述高功率狀態和所述低功率狀態之間脈沖的所述第一RF信號自調諧所述第二RF信號的RF頻率時，所述第一RF頻率值和所述第二RF頻率值被較早習得。

2.權利要求1所述的方法，其進一步包括：

以固定頻率模式運行所述多個RF功率供應器中的第三RF功率供應器從而所述第三RF功率供應器不被允許自調諧由所述第三RF功率供應器輸出的第三RF信號的頻率且從而所述第三RF信號以至少兩個固定的交替RF頻率值運行：第三RF頻率值和第四RF頻率值，其中在所述學習階段，當所述第三RF功率供應器運行在頻率自調諧模式從而響應于在低于所述第一脈沖頻率的脈沖頻率在所述高功率狀態和所述低功率狀態之間脈沖的所述第一RF信號自調諧所述第三RF信號的RF頻率時，所述第三RF頻率值和所述第四RF頻率值被較早習得。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率供應器表現為獨立地施以脈沖的RF功率供應器且所述第二RF功率供應器響應于來自所述等離子體處理室的可測量室參數的值在至少所述第一RF頻率值和所述第二RF頻率值之間改變所述第二RF信號的RF頻率。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述可測量室參數表示為伽瑪。

5.如權利要求3所述的方法，其進一步包括比較所述可測量室參數的所述值和預定義閾值。

6.如權利要求5所述的方法，其中在所述學習階段，當所述第一RF功率供應器在所述高功率狀態和所述低功率狀態之間在低于所述第一脈沖頻率的所述第二脈沖頻率施以脈沖時，所述預定義閾值被獲得。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述預定義閾值包括至少第一預定義閾值和第二預定義閾值，在所述學習階段，當所述第二RF功率供應器運行在所述固定頻率模式而所述第二RF信號以所述第一RF頻率值運行且所述第一RF信號從所述高功率狀態轉變到所述低功率狀態時，所述第一預定義閾值被獲得，在所述學習階段，當所述第二RF功率供應器運行在所述固定頻率模式而所述第二RF信號以所述第二RF頻率值運行且所述第一RF信號從所述低功率狀態轉變到所述高功率狀態時，所述第二預定義閾值被獲得。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述第一預定義閾值代表所述可測量室參數的第一值和第一閾值調節常數的總和，在所述學習階段，當所述第二RF功率供應器運行在所述固定頻率模式而所述第二RF信號以所述第一RF頻率值運行且所述第一RF信號從所述高功率狀態轉變到所述低功率狀態時，所述可測量室參數的所述第一值被獲得。

9.如權利要求7所述的方法，其中所述第二預定義閾值代表所述可測量室參數的第二值和第二閾值調節常數的總和，在所述學習階段，當所述第二RF功率供應器運行在所述固定頻率模式而所述第二RF信號以所述第二RF頻率值運行且所述第一RF信號從所述低功率狀態轉變到所述高功率狀態時，所述可測量室參數的所述第二值被獲得。

10.如權利要求1所述的方法，其中所述低功率狀態不是0瓦特。