[發(fā)明專(zhuān)利]負(fù)極材料、負(fù)極活性物質(zhì)、負(fù)極、非水電解質(zhì)二次電池及電池包無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310056303.0 | 申請(qǐng)日： | 2013-02-22 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103515583A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 越崎健司;深澤孝幸;森田朋和;長(zhǎng)田憲和;堀田康之;久保木貴志;平岡俊郎 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 株式會(huì)社東芝 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01M4/38 | 分類(lèi)號(hào)： | H01M4/38;H01M4/62;H01M4/134;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 永新專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人： | 張楠 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 負(fù)極 材料 活性 物質(zhì) 水電 二次 電池 | ||
1.一種非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極材料，其特征在于，其為包含硅和氧化硅的由組成式SiOx表示的硅氧化物，
所述x滿足0.1≤x≤0.8，
所述硅氧化物含有晶體硅，
在所述晶體硅中的直徑為1nm以上的粒狀物中，直徑為100nm以下的粒狀物以個(gè)數(shù)計(jì)為90％以上，
所述硅氧化物的BET比表面積大于100m2／g。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極材料，其特征在于，所述氧化硅包含非晶質(zhì)氧化硅。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極材料，其特征在于，所述硅氧化物的粉末形成：含有所述晶體硅的一次粒子凝聚而成的二次粒子、含有所述晶體硅的多孔質(zhì)體、或者所述二次粒子與所述多孔質(zhì)體的混合體。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)極材料，其特征在于，所述一次粒子包含直徑為120nm以下的粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的負(fù)極材料，其特征在于，所述多孔質(zhì)體包含細(xì)孔直徑為120nm以下的細(xì)孔。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的負(fù)極材料，其特征在于，含有粗度為5nm以上且30nm以下、長(zhǎng)度為100nm以上的包含硅或硅氧化物的纖維狀物質(zhì)。
7.一種非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，其包含碳質(zhì)物和分散在所述碳質(zhì)物中的負(fù)極材料，
所述負(fù)極材料為包含硅和氧化硅的由組成式SiOx表示的硅氧化物，
所述x滿足0.1≤x≤0.8，
所述硅氧化物含有晶體硅，
在所述晶體硅中的直徑為1nm以上的粒狀物中，直徑為100nm以下的粒狀物以個(gè)數(shù)計(jì)為90％以上，
所述硅氧化物的BET比表面積大于100m2／g。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述氧化硅包含非晶質(zhì)氧化硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述硅氧化物的粉末形成：含有所述晶體硅的一次粒子凝聚而成的二次粒子、含有所述晶體硅的多孔質(zhì)體、或者所述二次粒子與所述多孔質(zhì)體的混合體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述一次粒子包含直徑為120nm以下的粒子。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述多孔質(zhì)體包含細(xì)孔直徑為120nm以下的細(xì)孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，其特征在于，所述負(fù)極材料含有粗度為5nm以上且30nm以下、長(zhǎng)度為100nm以上的包含硅或硅氧化物的纖維狀物質(zhì)。
13.一種非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極，其特征在于，其具備非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)，
所述非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極活性物質(zhì)包含碳質(zhì)物和分散在所述碳質(zhì)物中的負(fù)極材料，
所述負(fù)極材料為包含硅和氧化硅的由組成式SiOx表示的硅氧化物，
所述x滿足0.1≤x≤0.8，
所述硅氧化物含有晶體硅，
在所述晶體硅中的直徑為1nm以上的粒狀物中，直徑為100nm以下的粒狀物以個(gè)數(shù)計(jì)為90％以上，
所述硅氧化物的BET比表面積大于100m2／g。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極，其特征在于，所述氧化硅包含非晶質(zhì)氧化硅。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極，其特征在于，所述硅氧化物的粉末形成：含有所述晶體硅的一次粒子凝聚而成的二次粒子、含有所述晶體硅的多孔質(zhì)體、或者所述二次粒子與所述多孔質(zhì)體的混合體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極，其特征在于，所述一次粒子包含直徑為120nm以下的粒子。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的非水電解質(zhì)二次電池用負(fù)極，其特征在于，所述多孔質(zhì)體包含細(xì)孔直徑為120nm以下的細(xì)孔。
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