[發明專利]具有垂直結構的發光二極管

在審

• 申請號: 201310055713.3
• 申請日: 2006-12-15
• 公開（公告）號: CN103151437A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 金鐘旭;崔在完;曹賢敬;羅鐘浩;張峻豪
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社;LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 戚傳江;謝麗娜

1.一種具有垂直結構的發光二極管，包括：

支撐層；

設置在所述支撐層的表面上的第一電極，所述第一電極包括：歐姆電極和緊靠在所述歐姆電極上的反射電極；

設置在所述第一電極上的發光器件結構；

導電型半導體層，其設置在所述發光器件結構上，所述導電型半導體層的外表面在所述導電型半導體層的上表面和側表面之間具有傾角；以及

第二電極，其位于所述導電型半導體層的所述上表面上，

其中，所述支撐層的所述表面的寬度比所述導電型半導體層的所述上表面的寬度更寬。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述傾角在35～65°的范圍內。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述傾角在53～56°的范圍內。

4.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述導電型半導體層是具有10μm～100μm厚度的導電GaN層。

5.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光器件結構包括：

P型半導體層；

設置在所述P型半導體層上的有源層；以及

設置在所述有源層上的N型半導體層。

6.根據權利要求5所述的發光二極管，其中，所述導電型半導體層是N型半導體層。

7.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光器件結構包括：

N型半導體層；

設置在所述N型半導體層上的有源層；以及

設置在所述有源層上的P型半導體層。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其中，所述導電型半導體層是P型半導體層。

9.根據權利要求1、5和7中任意一項所述的發光二極管，其中，所述發光器件結構包括基于氮化鎵的半導體。

10.根據權利要求9所述的發光二極管，其中，所述有源層具有至少一個InGaN/GaN量子阱結構。

11.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述支撐層是選自由以下所組成的組的一種：硅襯底、砷化鎵襯底、鍺襯底、以及包括銅或者鎢的金屬的金屬襯底。

12.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述支撐層包括鎳或者銅。

13.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述導電型半導體層具有截頂式倒金字塔結構。

14.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述導電型半導體層包括Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。

15.根據權利要求1所述的發光二極管，其中，所述發光器件結構包括AlGaN和AlInGaN中的至少一個。