[發(fā)明專利]軋制銅箔無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310055208.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103547067A | 公開(公告)日: | 2014-01-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 室賀岳海;關(guān)聰至 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社SH銅業(yè) |
| 主分類號(hào): | H05K1/09 | 分類號(hào): | H05K1/09 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 軋制 銅箔 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及軋制銅箔,特別涉及柔性印刷配線板所用的軋制銅箔。
背景技術(shù)
柔性印刷配線板(FPC:Flexible?Printed?Circuit)由于薄且撓性優(yōu)異,因此對(duì)電子設(shè)備等的安裝形態(tài)的自由度高。因此,F(xiàn)PC多數(shù)用于折疊式移動(dòng)電話的彎折部,數(shù)碼相機(jī)、打印機(jī)頭等的活動(dòng)部,以及硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD:Hard?Disk?Drive)、數(shù)字通用光盤(DVD:Digital?Versatile?Disk)、壓縮光盤(CD:Compact?Disk)等光盤相關(guān)設(shè)備的活動(dòng)部的配線等。因此,對(duì)作為FPC、其配線材而使用的軋制銅箔要求高彎曲特性,即,耐受反復(fù)彎曲的優(yōu)異耐彎曲性。
FPC用的軋制銅箔是經(jīng)過熱軋、冷軋等工序而制造的。軋制銅箔,在其后的FPC的制造工序中,介由粘接劑或直接與由聚酰亞胺等樹脂形成的FPC的基膜(基材)通過加熱等而貼合?;纳系能堉沏~箔通過實(shí)施蝕刻等表面加工而成為配線。對(duì)于軋制銅箔的耐彎曲性,與被軋制而硬化了的冷軋后的硬質(zhì)狀態(tài)相比,在通過再結(jié)晶而軟化了的退火后的狀態(tài)下會(huì)顯著提高。因此,例如上述的FPC的制造工序中,使用冷軋后的軋制銅箔,在避免伸長、褶皺等變形的同時(shí)裁切軋制銅箔,重疊在基材上。然后,通過也兼帶軋制銅箔的再結(jié)晶退火而進(jìn)行加熱,從而使軋制銅箔與基材密合并一體化。
將上述的FPC的制造工序作為前提,對(duì)于耐彎曲性優(yōu)異的軋制銅箔、其制造方法,迄今為止進(jìn)行了各種研究,許多報(bào)告了:在軋制銅箔的表面上,使作為立方體方位的{002}面({200}面)越發(fā)達(dá),則耐彎曲性越提高。
例如,專利文獻(xiàn)1中,在再結(jié)晶粒的平均粒徑為5μm~20μm的條件下進(jìn)行最終冷軋前的退火。此外,使最終冷軋中的軋制加工度為90%以上。由此,獲得在以成為再結(jié)晶組織的方式進(jìn)行了調(diào)質(zhì)的狀態(tài)(再結(jié)晶退火后的狀態(tài))下,當(dāng)將軋制面通過X射線衍射而求出的{200}面的強(qiáng)度設(shè)為I,將微粉末銅通過X射線衍射而求出的{200}面的強(qiáng)度設(shè)為I0時(shí),I/I0>20的立方體織構(gòu)。
此外,例如,專利文獻(xiàn)2中,提高最終冷軋前的立方體織構(gòu)的發(fā)達(dá)度,使最終冷軋中的加工度為93%以上。進(jìn)而通過實(shí)施再結(jié)晶退火,從而得到{200}面的積分強(qiáng)度為I/I0≥40的、立方體織構(gòu)顯著發(fā)達(dá)的軋制銅箔。
此外,例如,專利文獻(xiàn)3中,使最終冷軋工序中的總加工度為94%以上,并且將每1道次的加工度控制為15%~50%。由此,在再結(jié)晶退火后,可得到規(guī)定的晶粒取向狀態(tài)。即,通過X射線衍射極點(diǎn)圖測(cè)定而得到的軋制面的{111}面相對(duì)于{200}面的面內(nèi)取向度Δβ為10°以下。此外,軋制面中作為立方體織構(gòu)的{200}面的標(biāo)準(zhǔn)化后的衍射峰強(qiáng)度[a]與{200}面的具有雙晶關(guān)系的結(jié)晶區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)化后的衍射峰強(qiáng)度[b]之比為[a]/[b]≥3。
此外,例如,專利文獻(xiàn)4中,如下規(guī)定了最終冷軋工序后且再結(jié)晶退火前的軋制銅箔。在通過對(duì)軋制面的X射線衍射2θ/θ測(cè)定而得到的結(jié)果中,使銅晶體的衍射峰的80%以上為{220}Cu面({022}面)。此外,在通過使用以軋制面為基準(zhǔn)的X射線極圖法的測(cè)定而得到的結(jié)果中,對(duì)通過各傾斜角度時(shí)的面內(nèi)旋轉(zhuǎn)軸掃描而得到的{111}Cu面衍射峰的標(biāo)準(zhǔn)化平均強(qiáng)度進(jìn)行繪圖時(shí),形成以下的任一狀態(tài)。即,形成傾斜角度為35°~75°的范圍時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)化平均強(qiáng)度不為階梯狀的狀態(tài)?;蛘?,具有實(shí)質(zhì)上僅存在1個(gè)極大區(qū)域的晶粒取向狀態(tài)。由此,在再結(jié)晶退火后得到立方體織構(gòu)。
現(xiàn)有技術(shù)中,如上所述,在再結(jié)晶退火工序后使軋制銅箔的立方體織構(gòu)發(fā)達(dá),從而實(shí)現(xiàn)了耐彎曲性的提高。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利第3009383號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本專利第3856616號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)3:日本專利第4285526號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)4:日本專利第4215093號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的課題
另一方面,近年來,隨著電子設(shè)備的小型化、薄型化,將FPC彎折并向小空間裝入的情況增多。特別是在智能型手機(jī)(smartphone)等的面板部分,也有時(shí)將形成有配線的FPC彎折成180°并裝入。因此,對(duì)于軋制銅箔,容許小彎曲半徑的耐彎折性的要求逐漸提高。
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