[發明專利]用于制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310055161.6
• 申請日: 2010-10-25
• 公開（公告）號: CN103151266A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 細羽幸;坂田淳一郎;大原宏樹;山崎舜平
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 葉曉勇;朱海煜

1.一種用于制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

在襯底之上形成柵電極；

在所述襯底和所述柵電極之上形成柵絕緣膜；

通過濺射在所述柵絕緣膜之上形成氧化物半導體層；

對所述氧化物半導體層進行加熱處理以降低所述氧化物半導體層的氫濃度；

在進行所述加熱處理后將氧提供至所述氧化物半導體層中；以及

在所述氧化物半導體層之上形成源電極和漏電極。

2.一種用于制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

在襯底之上形成柵電極；

在所述襯底和所述柵電極之上形成柵絕緣膜；

通過濺射在所述柵絕緣膜之上形成氧化物半導體層；

對所述氧化物半導體層進行加熱處理以降低所述氧化物半導體層的氫濃度；

在進行所述加熱處理后將氧提供至所述氧化物半導體層中；

在所述氧化物半導體層之上形成源電極和漏電極；以及

在形成所述源電極和所述漏電極后進行等離子體處理。

3.如權利要求1或2所述的方法，

其中，進行所述加熱處理以便去除所述氧化物半導體層中的水分。

4.如權利要求1或2所述的方法，

其中，為執行所述氧化物半導體層的脫水處理和脫氫處理而進行所述加熱處理。

5.一種用于制造半導體器件的方法，包括下列步驟：

在襯底之上形成柵電極；

在所述襯底和所述柵電極之上形成柵絕緣膜；

通過濺射在所述柵絕緣膜之上形成氧化物半導體層；

對所述氧化物半導體層進行第一加熱處理以降低所述氧化物半導體層的氫濃度；

在進行所述第一加熱處理后將氧提供至所述氧化物半導體層中；

在所述氧化物半導體層之上形成源電極和漏電極；

在形成所述源電極和所述漏電極后進行等離子體處理；

在所述氧化物半導體層、所述源電極和所述漏電極之上形成絕緣膜；以及

在形成所述絕緣膜后進行第二熱處理。

6.如權利要求5所述的方法，

其中，進行所述第一加熱處理以便去除所述氧化物半導體層中的水分。

7.如權利要求5所述的方法，

其中，為執行所述氧化物半導體層的脫水處理和脫氫處理而進行所述第一加熱處理。

8.如權利要求2或5所述的方法，

其中，N₂O氣體被用于進行所述等離子體處理。

9.如權利要求1、2或5的任一項所述的方法，

其中，通過氧氣氛中的冷卻處理來進行將氧提供至所述氧化物半導體層中的步驟。

10.如權利要求1、2或5的任一項所述的方法，

其中，將氧提供至所述氧化物半導體層中的步驟在空氣氣氛下進行。

11.如權利要求1、2或5的任一項所述的方法，

其中，將氧提供至所述氧化物半導體層中的步驟在氧氣氛或氧氮氣氛下進行。

12.如權利要求1、2或5的任一項所述的方法，

其中，進行將氧提供至所述氧化物半導體層中的步驟以便填充所述氧化物半導體層中的氧缺陷。

13.如權利要求1、2或5的任一項所述的方法，

其中，所述柵絕緣膜具有使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜、氧氮化鋁膜、氮氧化鋁膜和氧化鉿膜中的至少一個的層疊結構。