[發明專利]供應清潔氣體至工藝腔室的方法和系統

無效

• 申請號: 201310055064.7
• 申請日: 2009-05-28
• 公開（公告）號: CN103170478A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: R·薩卡拉克利施納;D·杜鮑斯;G·巴拉蘇布拉馬尼恩;K·杰納基拉曼;J·C·羅查－阿爾瓦雷斯;T·諾瓦克;V·斯瓦拉馬克瑞希楠;H·姆薩德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: B08B5/00
• 分類號: B08B5/00;C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 陸嘉

本申請是提交于2009年5月28日，申請號為200980124391.5，題為“供應清潔氣體至工藝腔室的方法和系統”的專利申請的分案申請。

技術領域

本發明的實施例大致上關于用以清潔基材處理設備的工藝腔室的設備與方法。特別是，本發明的實施例是關于用以清潔工藝腔室的設備與方法，所述工藝腔室用于沉積。

背景技術

在工藝腔室中已經執行許多沉積步驟后，工藝腔室可能需要清潔以移除可能已形成在腔室壁上的不希望的沉積殘余物。一種用以清潔目前化學氣相沉積(CVD)或等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝腔室的傳統方式是使用由遠程等離子源(remote?plasma?source，RPS)供應的清潔等離子，其中RPS是遠離工藝腔室。RPS提供清潔等離子(通常是由氟基清潔氣體形成)，所述清潔等離子經由氣體循環硬件(包括裝設在工藝腔室中的氣體箱、氣體岐管與氣體散布系統)流入沉積腔室。

為了在清潔期間獲得更高的蝕刻速率，清潔等離子通常是以含有原子氟基團的活躍形式來供應。然而，從RPS到沉積腔室的復雜傳送路徑時常導致原子氟基團與分子氣體的預成熟再結合，所述分子氣體具有低蝕刻速率。結果，盡管清潔氣體的前體分解效率是高的，清潔效率也可能是低的。再者，對于具有大容積和精密幾何形態的腔室而言(諸如300mm工藝腔室)，腔室泵送端口通?？拷鼑婎^，所述噴頭用來輸送清潔氣體到腔室。所以，噴頭與泵送端口間的基材支撐組件下方不佳的氣體循環造成了基材支撐組件下方低的清潔效率。

因此，亟需一種用以清潔沉積腔室的改善的設備與方法。

發明內容

本發明提供一種用以清潔工藝腔室的方法與設備。在一個實施例中，本發明提供一種工藝腔室，包括遠程等離子源與工藝腔室，所述工藝腔室具有至少兩個工藝區域。各工藝區域包括：基材支撐組件，設置在所述工藝區域中；氣體散布系統，配置以提供氣體到所述基材支撐組件上方的所述工藝區域內；以及氣體通道，配置以提供氣體到所述基材支撐組件下方的所述工藝區域內。第一氣體導管是配置以將清潔試劑從所述遠程等離子源經由所述氣體散布組件流入各所述工藝區域，而第二氣體導管是配置以將來自所述第一氣體導管的所述清潔試劑的一部分轉向到各所述工藝區域的所述氣體通道。

在另一實施例中，本發明提供一種基材處理系統，包括：負載閉鎖腔室；傳送腔室，耦接到所述負載閉鎖腔室；遠程等離子源；以及工藝腔室，耦接到所述傳送腔室。所述工藝腔室包含：腔室主體，具有至少一個第一工藝區域；第一基材支撐組件，設置在所述第一工藝區域中；第一氣體散布組件，耦接到所述遠程等離子源，并且所述第一氣體散布組件是配置以從所述遠程等離子源由所述基材支撐組件上方提供氣體到所述第一工藝區域內；以及氣體通道，耦接到所述遠程等離子源，并且所述氣體通道是配置以從所述遠程等離子源由所述基材支撐組件下方提供氣體到所述第一工藝區域內。

在另一實施例中，本發明公開一種用以供應工藝氣體到工藝腔室的方法。所述方法包含：提供等離子源；使第一體積的清潔試劑從所述等離子源經由所述工藝腔室的頂部流入所述工藝腔室的內部容積中；以及使第二體積的清潔試劑從基材支撐組件下方流入所述內部容積。

附圖說明

為了可以詳細地理解本發明的前述特征，上文簡要概述的本發明的更特定描述可以通過參照實施例來詳細地了解，其中一些實施例是圖示在附圖中。然而，值得注意的是，附圖僅示出本發明的典型實施例，并且因此不會限制本發明范圍，本發明允許其它等效的實施例。

圖1為圖示處理系統的一個實施例的示意性平面圖，所述處理系統一具有清潔系統。

圖2為雙工藝腔室的一個實施例的示意性橫截面圖。

圖3A為水平橫截面圖，所述水平橫截面圖圖示閥的一個實施例，所述閥用在圖2的工藝腔室中。

圖3B為圖3A的閥的部分等角剖視圖。

圖3C為圖3A的閥的橫截面圖。

圖3D為替換實施例中閥的橫截面圖。

圖3E為替換實施例中閥的橫截面圖。

圖4為沉積順序的一個實施例的方法步驟的流程圖，其中所述沉積順序可以被執行在圖2的工藝腔室中。

圖5為翼片的另一實施例的分解橫截面圖。

圖6至圖7為圖5的翼片的部分截面圖與俯視圖。

圖8A至圖8B為閥主體的另一實施例的俯視圖與仰視圖。

圖8C為沿著圖8B的線8C-8C繪制的閥主體的橫截面圖。

圖8D為沿著圖8C的線8D-8D繪制的閥主體的橫截面圖。