[發明專利]發光器件、發光器件封裝及包括發光器件封裝的照明系統

有效

• 申請號: 201310054991.7
• 申請日: 2010-03-16
• 公開（公告）號: CN103199167A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 曹賢敬;宋炫暾;洪昶憙;金炯九
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種發光器件，包括：

第一半導體層，

與所述第一半導體層相鄰的有源層，

與所述有源層相鄰的第二半導體層，所述第一半導體層為第一導電型，所述第二半導體層為第二導電型；和

與所述第一半導體層相鄰的第三半導體層，所述第一半導體層、所述有源層、所述第二半導體層和所述第三半導體層形成在第一方向上，所述第三半導體層在第二方向上具有平坦表面并且面向所述第一半導體層，

其中所述第三半導體層具有至少一個傾斜的側表面，并且所述第三半導體層的所述至少一個側表面的傾角在所述第一方向和所述第二方向之間，所述第一半導體層、所述有源層或所述第二半導體層中的至少其一具有傾角大于所述第三半導體層的所述至少一個側表面的傾角的側表面，并且所述第一方向和所述第二方向相互垂直，

其中所述第三半導體層包括第一導電型第一半導體層，并且所述第一半導體層包括第一導電型第二半導體層。

2.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第一導電型第一半導體層具有與所述第一導電型第二半導體層、所述有源層和所述第二導電型半導體層不同的結晶方向。

3.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第三半導體層是摻雜的半導體層，

并且其中所述第三半導體層具有與所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層不同的結晶方向。

4.如權利要求1所述的發光器件，其中所述傾角為55°～89°。

5.如權利要求1所述的發光器件，其中所述至少一個側表面是均勻的表面或不均勻的表面。

6.如權利要求1所述的發光器件，其中所述摻雜的半導體層具有摻雜濃度為1×10¹⁵～5×10¹⁵cm^-3或更低的輕度摻雜的半導體層。

7.如權利要求1所述的發光器件，其中所述第三半導體層具有比所述第一半導體層更大的寬度。

8.如權利要求1所述的發光器件，其中在所述第三半導體層中形成凹陷，并且在所述凹陷中提供第一電極。

9.如權利要求8所述的發光器件，其中所述凹陷延伸到所述第一半導體層中。

10.如權利要求8所述的發光器件，其中所述凹陷的高度大于所述第一電極的厚度。

11.如權利要求1所述的發光器件，包括與所述第二半導體層相鄰的第二電極。

12.如權利要求11所述的發光器件，其中所述第二電極包括歐姆層、反射層和連接層中的至少其一。

13.如權利要求12所述的發光器件，其中所述第二電極由ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-Ga?ZnO)、IGZO(In-Ga?ZnO)、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni/IrO_x/Au和Ni/IrO_x/Au/ITO中的至少一種形成。