[發明專利]一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法在審
| 申請號： | 201310054804.5 | 申請日： | 2013-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103109854A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 邵鵬飛 | 申請（專利權）人： | 邵鵬飛 |
| 主分類號： | A01N59/00 | 分類號： | A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 腐蝕性 氧化 電位 殺菌 及其 制備 方法 | ||
1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；
（2）提供pH值調節單元；
（3）將所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。
2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在3.85-5.85間，其氧化還原電位為600-1150mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和為10-10-0.1mol/L。
3.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（1）中還包括：對所述有效氯提供單元進行降低4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和的預處理。
4.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（2）中還包括：對所述pH值調節單元進行降低4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和的預處理。
5.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（3）中還包括：對所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和的后處理。
6.如權利要求3或4或5所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述降低4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和的處理方法可選自加入化學失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。
7.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述pH值調節單元包含酸性物質、堿性物質或酸性物質與堿性物質的組合。
8.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的pH值調節單元和有效氯提供單元；所述有效氯提供單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述pH值調節單元與所述有效氯提供單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。
9.如權利要求8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在3.85-5.85間，其氧化還原電位為600-1150mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和為10-10-0.1mol/L。
10.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和不高于1.8mol/L。
11.如權利要求10所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在3.85-5.85間，其氧化還原電位為600-1150mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其4-甲基戊酸與4-甲基戊酸根離子的含量之和為10-10-0.1mol/L。
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