[發(fā)明專利]一種陣列基板的制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310054701.9
• 申請(qǐng)日: 2013-02-20
• 公開（公告）號(hào): CN103165529A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張方振
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成半導(dǎo)體有源層圖案，位于所述半導(dǎo)體有源層圖案兩側(cè)的第一圖案、位于預(yù)定區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第二圖案、以及位于其余區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第三圖案；

對(duì)所述第二圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次摻雜工藝，形成第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體；

對(duì)所述第一圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次輕摻雜工藝；

在完成前述步驟的基板上依次形成柵絕緣層，包括柵極圖案的柵金屬層，以及保護(hù)層；并通過一次構(gòu)圖工藝形成位于所述柵絕緣層的第一過孔和位于所述保護(hù)層的第二過孔；所述第一過孔和所述第二過孔至少露出所述第三圖案；

對(duì)所述第三圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次摻雜工藝，形成第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體；

在完成前述步驟的基板上形成包括源漏極圖案的源漏金屬層，以及與所述漏極圖案電連接的像素電極圖案。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述通過一次構(gòu)圖工藝在基板上形成半導(dǎo)體有源層圖案，位于所述半導(dǎo)體有源層圖案兩側(cè)的第一圖案、位于預(yù)定區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第二圖案、以及位于其余區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第三圖案包括：

在基板上形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上形成光刻膠；

利用三色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，刻蝕后形成所述半導(dǎo)體有源層圖案，以及位于所述半導(dǎo)體有源層圖案兩側(cè)的第一圖案、位于預(yù)定區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第二圖案、以及位于其余區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第三圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述利用三色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影，刻蝕后形成所述半導(dǎo)體有源層圖案，以及位于所述半導(dǎo)體有源層圖案兩側(cè)的第一圖案、位于預(yù)定區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第二圖案、以及位于其余區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第三圖案包括：

利用三色調(diào)掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，顯影后形成光刻膠完全保留部分、第一光刻膠半保留部分、第二光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分，所述第一光刻膠半保留部分的厚度大于所述第二光刻膠半保留部分的厚度；其中，所述光刻膠完全保留部分對(duì)應(yīng)待形成的所述半導(dǎo)體有源層圖案和所述第三圖案，所述第一光刻膠半保留部分對(duì)應(yīng)待形成的所述第一圖案，所述第二光刻膠半保留部分對(duì)應(yīng)待形成的所述第二圖案，所述光刻膠完全去除部分對(duì)應(yīng)其他區(qū)域；

利用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分的多晶硅，形成所述半導(dǎo)體有源層圖案，以及位于所述半導(dǎo)體有源層圖案兩側(cè)的第一圖案、位于預(yù)定區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第二圖案、以及位于其余區(qū)域的所述第一圖案一側(cè)的第三圖案；

采用第一次灰化工藝去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠；

采用第二次灰化工藝去除所述第一光刻膠半保留部分的光刻膠；

采用灰化工藝或剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第二圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次摻雜工藝，形成第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體包括：

在采用第一次灰化工藝去除所述第二光刻膠半保留部分的光刻膠之后，采用第二次灰化工藝去除所述第一光刻膠半保留部分的光刻膠之前，對(duì)露出的所述第二圖案處的半導(dǎo)體摻雜第一雜質(zhì)，形成第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述第一圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次輕摻雜工藝包括：

在采用第二次灰化工藝去除所述第一光刻膠半保留部分的光刻膠之后，采用灰化工藝或剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠之前，對(duì)露出的所述第一圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次輕摻雜工藝。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一過孔和所述第二過孔至少露出所述第三圖案包括：所述第一過孔和所述第二過孔露出所述第二圖案和所述第三圖案；

所述對(duì)所述第三圖案處的半導(dǎo)體進(jìn)行一次摻雜工藝，形成第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體包括：對(duì)露出的所述第二圖案和所述第三圖案處的半導(dǎo)體摻雜第二雜質(zhì)，在所述第三圖案處形成第二導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體；其中，所述第二雜質(zhì)的摻雜量小于所述第一雜質(zhì)的摻雜量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二雜質(zhì)的摻雜量為所述第一雜質(zhì)的摻雜量的一半。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，第一雜質(zhì)為硼或磷；相應(yīng)的，所述第二雜質(zhì)為磷或硼。