[發明專利]直流電場測量儀的標定裝置及其標定與校驗方法

有效

• 申請號: 201310054272.5
• 申請日: 2013-02-20
• 公開（公告）號: CN103135086A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 鄒志龍;崔翔;劉陽
• 申請（專利權）人: 華北電力大學
• 主分類號: G01R35/00
• 分類號: G01R35/00;G01R29/12
• 代理公司: 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246
• 代理人: 朱琨

1.一種直流電場測量儀的標定裝置，其特征是所述裝置包括電暈絲網、電場上極板、電場下極板、底部支架、板間絕緣支撐桿、第一高壓直流發生器和第二高壓直流發生器；

所述電場下極板置于底部支架之上；

所述電場上極板通過板間絕緣支撐桿安裝于電場下極板之上；

所述電暈絲網通過板間絕緣支撐桿安裝于電場上極板之上；

所述第一高壓直流發生器與電場上極板相連；

所述第二高壓直流發生器與電暈絲網相連；

所述電場下極板通過地線接地，且電場下極板上設有安放直流電場測量儀的圓孔。

2.根據權利要求1所述的標定裝置，其特征是所述標定裝置還包括上蓋，所述上蓋通過板間絕緣支撐桿安裝于電暈絲網之上。

3.根據權利要求1或2所述的標定裝置，其特征是所述標定裝置還包括安裝有采樣電阻的威爾遜板，所述威爾遜板置于電場下極板之上，所述采樣電阻的兩端與威爾遜板電氣連接。

4.一種使用如權利要求1或2所述的標定裝置對直流電場測量儀進行標定的方法，其特征是所述方法包括：

步驟1：將直流電場測量儀放入電場下極板的圓孔中，并且使直流電場測量儀與電場下極板的上表面平齊；

步驟2：開啟第一高壓直流發生器，第一高壓直流發生器輸出電壓，在電場上極板和電場下極板之間產生標稱電場；

步驟3：記錄第一高壓直流發生器的輸出電壓；使用直流電場測量儀測量標稱電場場強，將測量的結果作為標稱電場測量值；

步驟4：根據公式計算標稱電場理論值；

E為標稱電場理論值；

V為第一高壓直流發生器的輸出電壓；

d為電場上極板和電場下極板之間的距離；

步驟5：記錄標稱電場測量值與理論值，進行數據處理，將處理結果作為標稱電場修正值。

5.一種使用如權利要求3所述的標定裝置對合成電場進行校驗的方法，其特征是所述方法包括：

步驟1：將直流電場測量儀放入電場下極板的圓孔中，并且使直流電場測量儀與電場下極板的上表面平齊；

步驟2：開啟第一高壓直流發生器和第二高壓直流發生器，第一高壓直流發生器和第二高壓直流發生器分別輸出電壓，在電場上極板和電場下極板之間產生標稱電場，電暈絲網產生離子流；

步驟3：記錄第一高壓直流發生器的輸出電壓、第二高壓直流發生器的輸出電壓以及直流電場測量儀測量的標稱電場場強；

步驟4：關閉第一高壓直流發生器和第二高壓直流發生器，取走直流電場測量儀，在電場下極板上放置安裝有采樣電阻的威爾遜板；

步驟5：開啟第一高壓直流發生器和第二高壓直流發生器，使第一高壓直流發生器的輸出電壓和第二高壓直流發生器的輸出電壓分別與步驟3記錄的第一高壓直流發生器的輸出電壓和第二高壓直流發生器的輸出電壓相等；

步驟6：測量采樣電阻兩端的電壓值，并根據公式計算離子流密度；

J為離子流密度；

U為電阻兩端的電壓值；

R為采樣電阻的電阻值；

S為威爾遜板的面積；

步驟7：根據公式計算電場下極板的合成電場場強；

E(d)為電場下極板的合成電場場強；

E₀為電場上極板處的電場場強且

V為第一高壓直流發生器的輸出電壓；

J為離子流密度；

d為電場上極板和電場下極板之間的距離；

ε為空氣介電常數；

K為離子遷移率；

步驟8：計算電場下極板處的合成電場場強，將計算獲得的理論值與測量值比較，將數據處理結果作為合成電場的校驗值。