[發(fā)明專利]一種多晶硅生產中吸附塔再生過程排放尾氣的凈化回收方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310054173.7 | 申請日： | 2013-01-30 |
| 公開（公告）號： | CN103111157A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳自力;楊云;王航舟;唐偉博;孫曉龍;李蘭勵;韓太宇 | 申請（專利權）人： | 陜西天宏硅材料有限責任公司;四川天一科技股份有限公司 |
| 主分類號： | B01D53/047 | 分類號： | B01D53/047;C01B3/56 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 712000 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 生產 吸附 再生 過程 排放 尾氣 凈化 回收 方法 | ||
1.一種多晶硅生產中吸附塔再生過程排放尾氣的凈化回收方法，其特征在于包括以下步驟：
A、壓縮冷凝：將再生過程中的排放尾氣由界外引入，經加壓至1.6MPa、冷凝、氣液分離，將其中的氯硅烷以液體的方式去除；
B、變溫吸附：將壓縮冷凝處理后的氣體預熱至常溫并送往活性炭吸附床進行變溫吸附，脫除氣體中的少量氯硅烷氣體；
C、精脫氯：將變溫吸附處理后的氣體經過精脫氯吸附床脫除氣體中少量的HCL氣體；
D、變壓吸附：將精脫氯處理后的氣體經過分子篩和活性碳為主的吸附床進行變壓吸附，脫除N2、CH4等其他雜質氣體，得到高純度的H2，一部分H2用于自身床層的解吸，大部分做為產品氣供用氣單元，解吸氣返回變溫吸附做為活性炭吸附床的再生氣排廢。
2.如權利要求1所述的一種多晶硅尾氣的凈化方法，其特征在于：
所述的壓縮冷凝：采用多級往復式活塞壓縮機對尾氣加壓，輸送，具備主動吹掃填料，氮氣保護功能；
所述的變溫吸附：吸附床為3～9個活性炭吸附床，2～3個吸附床同時吸附，變溫吸附在吸附床內周期性循環(huán)進行，壓力為0.01～2.1Mpa、常溫下吸附、升溫至50～150℃，再生溫度為50～150℃；
所述的精脫氯吸附床層內吸附劑以活性炭為載體，負載有Cu的化合物；
所述變壓吸附吸附床為4～12個分子篩吸附床，變壓吸附在吸附床內周期性循環(huán)進行，并能將故障吸附床切出運行的系統(tǒng)；
3.如權利要求1所述的一種多晶硅尾氣的凈化方法，其特征在于：再生過程中的排放尾氣主要含有：氫氣、氮氣、甲烷、三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫氣體。
4.如權利要求1或權利2所述的一種多晶硅尾氣中再生氫氣的凈化方法，其特征在于：變溫吸附中吸附床的再生氣為變壓吸附中吸附床的解吸氣。
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