[發明專利]系統級光電結構及其制作方法在審
| 申請號: | 201310054066.4 | 申請日: | 2010-01-13 |
| 公開(公告)號: | CN103199023A | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 謝明勛;韓政男;洪盟淵;劉欣茂;李宗憲 | 申請(專利權)人: | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L25/00;H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 系統 光電 結構 及其 制作方法 | ||
本申請是申請號為201010002185.1,申請日為2010年1月13日,發明名稱為“系統級光電結構及其制作方法”的發明專利申請的分案申請。
技術領域
本發明涉及一種光電系統,尤涉及一種具有整合性的發光系統。
背景技術
光電元件如發光二極管的封裝結構主要產自于繁復的單芯片封裝流程。未封裝的光電元件經封裝后,再結合其他電子元件,如電容、電感等,及/或非電子元件,可以形成光電系統。
然而,在電子消費產品小型化與輕薄化的發展趨勢下,光電元件的開發也朝向更小的封裝尺寸。其中,芯片級封裝(Chip-Level?Package;CLP)為半導體以及光電元件封裝設計的期待方式之一。
發明內容
依據本發明實施例,提供系統級光電結構及其制作方法,其制作方法步驟至少包含:提供暫時基板;提供多個未封裝光電元件,連接于基板之上,并形成多個走道區;提供粘性膠材,填滿走道區并覆蓋光電元件;提供永久基板,通過粘性膠材鍵合多個光電元件;以及移除暫時基板。
附圖說明
圖1顯示發光二極管封裝結構;
圖2A至圖2D顯示依據本發明實施例的光電系統的制造方法;
圖3顯示依據本發明實施例的光電系統的示意圖;
圖4顯示依據本發明實施例的系統單元與載具的示意圖;
圖5顯示依據本發明實施例的系統單元與次載具的示意圖;
圖6(a)至圖6(c)顯示依據本發明實施例的光電系統中系統單元的電連接示意圖;
圖7(a)至圖7(c)顯示依據本發明另一實施例的光電系統中系統單元的電連接示意圖;
圖8(a)至圖8(c)顯示依據本發明又一實施例的光電系統中系統單元的電連接示意圖;
圖9A至圖9D顯示依據本發明另一實施例的光電系統的制造方法;
圖10(a)至圖10(c)顯示依據本發明實施例的光電系統中系統單元的電連接示意圖;
圖11顯示依據本發明實施例的光電系統中子群組的示意圖;
圖12(a)至圖12(d)顯示依據本發明實施例的子群組的電性連接架構;
圖13顯示依據本發明另一實施例的子群組的電性連接架構;
圖14(a)至圖14(b)顯示依據本發明實施例的單一系統單元的尺寸圖;
圖15(a)至圖15(d)顯示依據本發明實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖16(a)至圖16(d)顯示依據本發明另一實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖17(a)至圖17(b)顯示依據本發明又一實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖18(a)至圖18(c)顯示依據本發明實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖19(a)至圖19(d)顯示依據本發明另一實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖20(a)至圖20(d)顯示依據本發明又一實施例的光電系統中波長轉換材料的配置方式;
圖21(a)至圖21(b)顯示依據本發明實施例的光電系統中系統單元的配置示意圖;
圖22(a)至圖22(f)顯示依據本發明實施例的光電系統或子群組的配置示意圖;
圖23A至圖23E為本發明制造流程結構示意圖;
圖24A至圖24G為本發明制造流程結構示意圖;
圖25A與圖25B為本發明實施例的制造流程結構示意圖;
圖26為本發明實施例的制造流程結構示意圖;及
圖27為本發明實施例的制造流程結構示意圖。
附圖標記說明
10:載具、暫時基板??????????????????60:電性連接
10a:外部體?????????????????????????60a:導線
10b:外部體?????????????????????????60b:內部連接
20:層、結構、第一連接層????????????60b’:隔離區
30:系統單元、光電元件??????????????60c:電路載體
301:電極???????????????????????????601:焊料
302:半導體外延層???????????????????70:第二連接層
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





