[發(fā)明專利]一種基于比吸光度的納米流體的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310053959.7 | 申請日： | 2013-02-20 |
| 公開（公告）號： | CN103191589A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊柳;杜塏 | 申請（專利權(quán)）人： | 東南大學(xué) |
| 主分類號： | B01D21/00 | 分類號： | B01D21/00;G01N21/31;G01N21/33;B82Y35/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 楊曉玲 |
| 地址： | 210096*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 基于 光度 納米 流體 制備 方法 | ||
1.一種基于比吸光度的納米流體的制備方法，其特征在于，該制備方法包括以下步驟：
步驟10）測定初始納米流體的吸光度：首先將納米顆粒與基液混合，攪拌均勻，制備出質(zhì)量分數(shù)為K·M的初始納米流體，其中，K>1，M為最終獲取的納米流體的質(zhì)量分數(shù)，然后利用紫外可見分光光度計，測量初始納米流體的吸光度Aini；
步驟20）分離靜置后沉降的納米顆粒：將步驟10）制備的初始納米流體靜置設(shè)定時間后，該初始納米流體分為上層未沉降的納米流體和下層沉降的納米顆粒，然后利用提取設(shè)備將上層未沉降的納米流體分離出來；
步驟30）測定分離的納米流體吸光度：利用紫外可見分光光度計，測量步驟20）分離出來的上層未沉降的納米流體的吸光度Aaf，隨后利用式（1）獲得該上層未沉降的納米流體的比吸光度I：
I=Aaf/Aini????式（1）；
步驟40）制備質(zhì)量分數(shù)為M的納米流體：向步驟20）分離出來的上層未沉降的納米流體中，添加基液，對該納米流體進行稀釋，稀釋比例為：分離出來的上層未沉降的納米流體質(zhì)量∶添加的基液質(zhì)量=1∶（K·I-1），制備出質(zhì)量分數(shù)為M的納米流體。
2.按照權(quán)利要求1所述的基于比吸光度的納米流體的制備方法，其特征在于，所述的步驟10）中，K取值范圍為5—20。
3.按照權(quán)利要求1所述的基于比吸光度的納米流體的制備方法，其特征在于，所述的步驟20）中，設(shè)定時間為1—7天。
4.按照權(quán)利要求1所述的基于比吸光度的納米流體的制備方法，其特征在于，所述的步驟30）中，基液是指水、導(dǎo)熱油、溴化鋰溶液、氨水溶液、制冷劑，或者混合制冷劑。
5.按照權(quán)利要求1所述的基于比吸光度的納米流體的制備方法，其特征在于，所述的步驟20）中，提取設(shè)備為注射器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東南大學(xué)，未經(jīng)東南大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310053959.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
