[發明專利]磁盤用玻璃基板及磁盤

有效

• 申請號: 201310053742.6
• 申請日: 2009-09-29
• 公開（公告）號: CN103151051A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 江田伸二;磯野英樹;前田高志;土屋弘;丸茂吉典
• 申請（專利權）人: HOYA株式會社
• 主分類號: G11B5/73
• 分類號: G11B5/73;C03C19/00;C03C23/00;C09G1/02;G11B5/84
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李英

本申請是申請日為2009年9月29日、申請號為200980138347.X、發明名稱為“磁盤用玻璃基板及磁盤”的發明專利申請的分案申請。

技術領域

本發明涉及安裝于硬盤驅動裝置的磁盤用玻璃基板及磁盤。

背景技術

作為安裝于硬盤驅動器(HDD裝置)的磁記錄介質，有磁盤。磁盤是在由鋁－鎂合金等構成的金屬基板上被覆NiP膜，或在玻璃基板或陶瓷基板上層疊磁性層或保護層而制造。目前，作為磁盤用的基板廣泛使用鋁合金基板，但隨著近年的磁盤的小型化、薄板化、高密度記錄化，逐步使用與鋁合金基板相比，表面平坦度及薄板的強度優異的玻璃基板。

對于在磁盤用玻璃基板上至少形成磁性層而制成的磁盤，高記錄密度化逐年進展，具備含顆粒粒子的磁性層的磁盤成為主流。在這種磁性層中，為了實現進一步的高記錄密度化(例如，160GB以上／片，特別是250GB以上／片)，需要進一步縮小顆粒粒子的粒徑，提高顆粒粒子的晶體取向性。這樣，為了縮小顆粒粒子的粒徑，并提高顆粒粒子的晶體取向性，磁盤用玻璃基板的特性，特別是需要降低表面粗糙度，減少表面存在的缺陷。作為減小了表面粗糙度的磁盤用玻璃基板，例如有專利文獻1中公開的玻璃基板。

另外，近年來，為了謀求進一步的記錄密度的高密度化，將鄰接的磁道磁分離的分離磁道介質等圖案化介質的開發正在進展。作為制造該圖案化介質的方法例如有在玻璃基板上形成磁性層后，將該磁性層物理地分割而將磁道間分離的方法。而且，在分割磁性層時，使用納米刻印技術，在磁性層上形成圖案。

這時，在玻璃基板上存在缺陷(特別是凸缺陷)的情況下，在存在該缺陷的磁性層上無法形成上述圖案。具體地說，在形成磁性層時，會接著玻璃基板上的缺陷而在磁性層上也形成缺陷。在該狀態下進行納米刻印時，只在該缺陷的周圍未形成壓模的圖形。另外，根據情況，壓模也有可能破損。因此，在使用納米刻印技術制造圖案化介質的情況下，要求玻璃基板上缺陷極少。

現有技術文獻

專利文獻1：特開2006－95676號公報

發明內容

發明所要解決的課題

在表面粗糙度非常低的水平，例如在算術平均粗糙度(Ra)為0.1nm附近，降低表面粗糙度和減少表面存在的缺陷易成為綜合調整關系。即，雖說是表面粗糙度降低，但表面存在的缺陷數不一定減少。這是因為在表面粗糙度為0.1nm附近水平的玻璃基板的情況下，目前以去除附著物等為目的進行的洗滌成為使玻璃基板表面變粗的原因。即，具有0.1nm附近水平非常低的表面粗糙度的玻璃基板，為了維持表面粗糙度需要在用于去除表面存在的缺陷的洗滌中使用比較弱的化學溶液。另外，該趨勢在磁盤用玻璃基板特別是在由鋁硅酸鹽玻璃那樣的多成分系玻璃構成的情況中尤為顯著。

本發明是鑒于這樣的情況而開發的，其目的在于，提供一種在算術平均粗糙度(Ra)為0.1nm附近的水平，表面存在的缺陷數非常少，適合作為高記錄密度磁盤用的基板的磁盤用玻璃基板及磁盤。

用于解決課題的手段

本發明的一個方式提供一種磁盤用玻璃基板，其特征在于，使用原子力顯微鏡以2μm×2μm見方、256×256像素的分辨率測定的玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.12nm以下，在檢測以5μm點徑照射波長405nm的光時的、來自所述玻璃基板的散射光時，在以0.1μm以上0.3μm以下的尺寸檢測出的缺陷中，固定存在于所述玻璃基板上的缺陷的個數每24cm²為1個以下。

在本發明的磁盤用玻璃基板的一個方式中，優選玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度(Ra)相對于最大峰高(Rp)的比(Ra／Rp)為0.15以上。

本發明另一方式的磁盤用玻璃基板，其特征在于，使用原子力顯微鏡以2μm×2μm見方、256×256像素的分辨率測定的玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度(Ra)為0.12nm以下，使用一邊向所述玻璃基板的主表面照射波長632nm的氦氖激光，一邊掃描時的入射光和反射光之間的波長差檢測出的、以俯視為0.1μm以上0.6μm以下的尺寸、且0.5nm以上2nm以下深度檢測出的缺陷的個數每24cm²不足10個。

在本發明另一方式的磁盤用玻璃基板中，優選玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度(Ra)相對于最大谷深(Rv)的比(Ra／Rv)為0.15以上。

具有上述構成的本發明的磁盤用玻璃基板，在算術平均粗糙度(Ra)為0.1nm附近的水平，表面存在的特定的缺陷數非常少，所以適合作為160GB以上/片、特別是250GB以上/片的高記錄密度磁盤用的基板。