[發(fā)明專利]一種陣列基板的制作方法、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310053700.2 | 申請日: | 2013-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN103107135A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 魏小丹;張興強(qiáng);陸忠;張同局 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;安利霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 陣列 制作方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在陣列基板上形成墊高層,所述墊高層位于陣列基板的平坦化層下方,且對應(yīng)于所述平坦化層的過孔的位置,其中,所述平坦化層為熱熔性材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,所述熱熔性材料為亞克力材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,包括:
S1:提供一襯底基板,在所述襯底基板上形成TFT;
S2:在所述襯底基板上方形成墊高層;
S3:在所述墊高層上方形成平坦化層,并在所述平坦化層上形成過孔,其中所述墊高層對應(yīng)所述平坦化層的過孔的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述在襯底基板上形成TFT的步驟,具體為:在所述襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層;
所述在襯底基板上方形成墊高層的步驟具體為:在所述襯底基板上或者在所述柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中任意一層上形成墊高層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,還包括:
在所述平坦化層上方形成像素電極層,所述像素電極通過所述平坦化層上的過孔與所述TFT漏電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,
所述在襯底基板上形成柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層的步驟,還包括:在所述陣列基板的綁定驅(qū)動電路的周邊區(qū)域中,與所述柵極同層形成綁定柵線,與所述源漏電極同層形成綁定數(shù)據(jù)線,所述綁定柵線和所述綁定數(shù)據(jù)線分別通過平坦化層上的過孔與驅(qū)動電路綁定。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法,其特征在于,在形成有墊高層的所述襯底基板上形成平坦化層的步驟包括:
在形成有墊高層的所述襯底基板上涂覆亞克力材料層;
對所述亞克力材料層進(jìn)行低壓干燥和烘烤;
對低壓干燥和烘烤后的所述亞克力材料層進(jìn)行曝光;
對曝光后的所述亞克力材料層進(jìn)行顯影和烘烤。
8.一種陣列基板,包括平坦化層,其特征在于,包括墊高層,所述墊高層位于平坦化層下方,且對應(yīng)于平坦化層的過孔處,其中,所述平坦化層為熱熔性材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板,其特征在于,所述熱熔性材料為亞克力材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的陣列基板,其特征在于,包括:
襯底基板以及形成于所述襯底基板上的TFT;
形成在所述襯底基板上方的墊高層;
形成在所述墊高層上方的平坦化層,所述平坦化層上具有過孔,所述墊高層對應(yīng)所述平坦化層的過孔的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板,其特征在于,所述TFT包括柵極、柵絕緣層、有源層、源漏電極,所述墊高層位于所述襯底基板上或者位于柵極層、柵絕緣層、有源層、源漏電極層中的任意一層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于,還包括:像素電極層,所述像素電極層位于平坦化層上方,所述像素電極通過所述平坦化層上的過孔與TFT漏電極連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板,其特征在于,還包括鈍化層,所述鈍化層位于所述平坦化層的下方,所述鈍化層具有與所述平坦化層的過孔上下相通的過孔,所述像素電極與TFT漏電極通過所述平坦化層的過孔和鈍化層的過孔連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板,其特征在于,
在所述陣列基板的綁定驅(qū)動電路的周邊區(qū)域,還包括與源漏電極同層形成的綁定數(shù)據(jù)線,以及與柵極同層形成的綁定柵線,所述綁定數(shù)據(jù)線與所述綁定柵線分別通過所述平坦化層上的過孔與驅(qū)動電路連接。
15.一種顯示裝置,包括如權(quán)利要求8-14任一項(xiàng)所述的陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





