[發明專利]一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310053615.6
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103197501A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 郭建
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F9/00;G03F7/20;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上形成第一膜層，并在第一膜層的對位區域中形成一組特定對位標識；

在所述第一膜層上依次形成多層后續膜層和一頂層膜層，其中

針對每一層所述后續膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對后續膜層上涂覆的光刻膠進行曝光；且在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形；

針對所述頂層膜層的構圖工藝：將掩膜板中的對位標識與所述第一膜層上的所述特定對位標識進行對位，對頂層膜層上涂覆的光刻膠進行曝光。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述針對頂層膜層的構圖工藝的步驟中，還包括：

在構圖工藝中，清除在對頂層膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形，具體包括：

對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形，具體包括：

使用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域進行單點曝光，并經過顯影將該區域的光刻膠圖形移除。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形，具體包括：

后續膜層中順序相鄰的兩個與曝光機的鏡頭區域對應的曝光區中，前曝光區完成曝光，對后曝光區進行曝光時，曝光機將前曝光區內的對位區域中靠近后曝光區的區域進行曝光；

采用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域剩余的區域進行單點曝光；

對所述第一膜層的對位區域進行顯影，移除對位區域內的光刻膠圖形。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述對所述第一膜層的對位區域內的光刻膠圖形進行曝光顯影，移除光刻膠圖形過程中：

完成對一層后續膜層的曝光步驟之后，再進行所述采用曝光機的打標單元對所述第一膜層的對位區域剩余的區域進行單點曝光的步驟。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，對后曝光區進行曝光時，前曝光區的遮光區域靠近后曝光區的一側具有開口，將前曝光區的對位區域靠近后曝光區的對位標識區域露出，在對后曝光區進行曝光時，對前曝光區露出的對位標識區域進行曝光。

8.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述在構圖過程中，清除在對后續膜層進行曝光時掩膜板中的對位標識在特定對位標識的圖形位置形成的光刻膠圖形，具體包括：

后續膜層曝光顯影時在對位區域內形成的光刻膠圖形的寬度小于其刻蝕中刻蝕液對光刻膠的刻蝕偏量；

后續膜層進行刻蝕時將該后續膜層曝光之后在對位區域形成的光刻膠圖形移除。

9.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板采用權利要求1~8任一項所述的陣列基板制備方法制造。

10.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包括權9所述陣列基板。