[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法、液晶顯示器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310053613.7
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103984170A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 翟應(yīng)騰;吳勇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海天馬微電子有限公司;天馬微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種陣列基板，包括：

一基板，包括顯示區(qū)域和包圍所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；

形成于所述基板上顯示區(qū)域內(nèi)的半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)和像素電極，所述半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體通道、源極/漏極；

形成于所述基板、半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)和像素電極上的柵極絕緣層；

形成于所述柵極絕緣層上柵極和掃描線，所述柵極與所述半導(dǎo)體通道區(qū)域位置相對應(yīng)；

形成于所述柵極、掃描線和柵極絕緣層上的鈍化層；以及

形成于所述鈍化層上的數(shù)據(jù)線和公共電極；

其中，所述半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)和像素電極為透明金屬氧化物半導(dǎo)體。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線和所述公共電極位于同一層，且由同種材料形成。

3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述透明金屬氧化物半導(dǎo)體為銦鎵鋅氧化物、銦鋁鋅氧化物、銦鈦鋅氧化物或銦鋅氧化物中的一種或幾種。

4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述源極電連接，且所述像素電極與所述漏極電連接；或者所述數(shù)據(jù)線與所述漏極電連接，且所述像素電極與所述源極電連接。

5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括穿透所述柵極絕緣層和鈍化層的第一通孔，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一通孔與所述源極/漏極電連接。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，還包括形成于所述周邊區(qū)域內(nèi)的換線結(jié)構(gòu)，所述換線結(jié)構(gòu)包括：

形成于所述基板上的第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層與所述半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)同層且由同一材料形成；

形成于所述柵極絕緣層上的第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層與所述柵極同層且由同一材料形成；

穿透所述鈍化層的第二通孔和穿透所述柵極絕緣層和鈍化層的第三通孔，所述第二通孔暴露出所述第二導(dǎo)電層，所述第三通孔暴露出所述第一導(dǎo)電層；以及

形成于所述鈍化層上和第二通孔和第三通孔中的跨橋，所述跨橋與所述公共電極同層且由同一材料形成，所述第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層通過所述跨橋電連接。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述掃描線和柵極的材料為Cr、Mo、Al、Ti、Nb、Cu中一種或者幾種金屬形成的合金。

8.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、公共電極和跨橋的材料為Cr、Mo、Al、Ti、Nb、Cu中一種或者幾種金屬的形成合金。

9.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的厚度為

10.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極絕緣層的厚度為

11.如權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極的厚度為

12.一種液晶顯示器，包括：

如權(quán)利要求1至11中任一項所述的陣列基板；

與所述陣列基板相對設(shè)置的彩膜基板，以及

填充于所述陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。

13.一種如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，包括：

步驟一：提供一基板，包括顯示區(qū)域和包圍顯示區(qū)域的周邊區(qū)域；

步驟二：在所述基板上形成一半導(dǎo)體層，對所述半導(dǎo)體層進行第一次光刻，在顯示區(qū)域內(nèi)形成半導(dǎo)體圖案；

步驟三：在所述基板和半導(dǎo)體圖案上形成柵極絕緣層；

步驟四：在所述柵極絕緣層上形成柵極金屬層，對所述柵極金屬層進行第二次光刻，形成柵極和掃描線；

步驟五：對所述基板進行摻雜處理，形成半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)和像素電極，所述半導(dǎo)體有源結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體通道、源極/漏極，被所述柵極遮擋的半導(dǎo)體圖案形成所述半導(dǎo)體通道，未被所述柵極遮擋的半導(dǎo)體圖案形成所述源極/漏極，以及像素電極；

步驟六：在所述柵極、掃描線和柵極絕緣層上形成鈍化層，并對所述鈍化層進行第三次光刻，形成穿透所述柵極絕緣層和鈍化層的第一通孔；以及

步驟七：在所述鈍化層上形成數(shù)據(jù)線和公共電極，所述數(shù)據(jù)線通過所述第一通孔電連接所述源極/漏極；

其中，所述半導(dǎo)體層為透明金屬氧化物半導(dǎo)體。