[發明專利]一種用于LED集成封裝模塊的過渡電極及其制造方法

無效

• 申請號: 201310053373.0
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103094447A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 谷青博;崔澤英
• 申請（專利權）人: 河北神通光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 米文智

技術領域

本發明涉及照明裝置內連接裝置的元件技術領域，尤其涉及一種用于LED封裝的電極。

背景技術

目前，LED集成封裝常見的一種方式是芯片按矩陣結構排布在基板上，此基板多為金屬基板，另外還有陶瓷基板、陶瓷金屬復合基板和樹脂金屬復合基板等，通過一條引線兩端邦定在兩顆LED芯片相對應的正、負電極上，實現芯片間的串聯電路連接，結構如圖2所示。

采用這種邦定方式LED芯片逐個串聯形成一組，這一串聯組的首尾兩顆LED芯片尚未參與邦定的正、負電極分別邦定在與模塊輸入端分別相通的指定引線位置上，一個模塊可以有多組這樣通過芯片間引線串聯起來工作的芯片組，在同一個模塊中的這些芯片組可以通過每組芯片首尾兩顆芯片邦定在相通的電極上實現并聯工作，這種連接是先串聯后并聯，當其中一顆芯片或引線出現故障，如：開路時，同一個串聯組上的芯片將全部不能工作；因為需要把每條線邦定在兩顆芯片電極上，受引線長度限制和邦線設備制約，一般批量生產只能將芯片排布為密排的矩陣結構。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種用于LED集成封裝模塊的過渡電極及其制造方法，使用所述過渡電極連接LED芯片組成LED集成封裝模塊，解決了LED集成封裝模塊故障維修困難等問題，且芯片排布更加靈活。

為解決上述技術問題，本發明所采取的技術方案是：一種用于LED集成封裝模塊的過渡電極，其特征在于所述過渡電極包括襯底和電極，所述電極固定在所述襯底的上表面。

優選的：所述電極的面積大于LED芯片電極的面積。

優選的：所述電極的上表面平行于所述襯底的下表面。

優選的：所述電極和所述襯底為長方體形。

優選的：所述襯底的制作材料為對光線的吸收率低的材料。

優選的：所述電極的制作材料為具有良好導電能力的材料。

優選的：所述襯底的制作材料為藍寶石或氧化鋁陶瓷。

優選的：所述電極的制作材料為金及其合金、銀及其合金或鋁及其合金。

一種用于LED集成封裝模塊的過渡電極的制造方法，其特征在于包括以下步驟，首先確定襯底的制作材料；其次在襯底上生長電極，根據電極的制作材料確定生長電極的工藝；最后根據使用需求設計過渡電極的尺寸并規則排布在晶片膜上進行切割、分檢、包裝。

采用上述技術方案所產生的有益效果在于：在LED芯片之間插入一些過渡電極，使LED芯片通過此過渡電極和邦定引線來連接，可以方便的更換損壞的LED芯片或邦定引線，有效的解決了生產中LED芯片邦定故障維修困難的問題。此外可以在芯片排布上更加靈活，除了設計先串后并等電路結構外還可以設計先并后串等更加復雜的電路結構，降低了損壞的LED芯片或邦定引線對模塊的影響，從而增加了LED集成封裝模塊的使用壽命。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明。

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是傳統LED集成封裝模塊的電路結構示意圖；

圖3是引入過渡電極后第一種LED集成封裝模塊的電路結構示意圖；

圖4是引入過渡電極后第二種LED集成封裝模塊的電路結構示意圖；

圖5是引入過渡電極后第三種LED集成封裝模塊的電路結構示意圖；

圖6是引入過渡電極后的50W?LED集成封裝模塊的電路結構示意圖；

其中：1、襯底?2、電極。

具體實施方式

為了實現邦定和方便使用，確定過渡電極結構為圖1所示的多面體結構，其中上部為電極、下部為襯底，上下表面平行。為了滿足LED集成封裝模塊的光、電特性和批量生產的目的，要求過渡電極必須具備如下特點：

一、襯底材料對光線的吸收率要低。LED集成封裝模塊是光的發生器件，器件內的材料對光的吸收率會影響整體器件的出光效率，過渡電極的襯底材料應當盡量選取對光線吸收比較少的材料；二、襯底材料一般必須絕緣。因為一般LED集成封裝在金屬基板上，為了防止過渡電極影響電路結構，這時要求過渡電極的襯底材料必須絕緣。若過渡電極固定的位置與其它部分絕緣，此時襯底材料的絕緣性不做要求。三、過渡電極的尺寸要盡量小。過渡電極的引入占用了部分LED封裝的空間，其尺寸應該相對比較小，必須不能影響整體LED集成封裝模塊內的芯片排布及發光。