[發明專利]一種絕緣柵場效應管

無效

• 申請號: 201310053332.1
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103077972A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 張傳科
• 申請（專利權）人: 張傳科
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及絕緣柵場效應管領域，尤其涉及一種絕緣柵場效應管的新結構

背景技術

目前，絕緣柵型場效應晶體管經常用于各類電子電路中，絕緣柵場效應管的種類較多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等。MOS絕緣柵場效應管也即金屬一氧化物一半導體場效應管，通常用MOS表示，稱作MOS管。但是此類通用的絕緣柵場效應管內有兩個PN結（兩種導電類型交界的一小塊區域，一般稱為PN結），其中一個PN結在絕緣柵型場效應管工作時不起作用，造成了材料以及加工工藝的浪費，增加了成本，因此發明一種加工簡單，成本便宜的絕緣柵場效應管是本領域技術人員急需解決的問題。

發明內容

????本發明所要解決的技術問題是提供制造簡單，降低成本的一種絕緣柵場效應管，為了解決此技術問題，本發明采用以下技術方案：

一種絕緣柵場效應管，包括第一導電類型P區（3）和第一導電類型相反的第二導電類型N區（4），其特征在于：還包括絕緣層（2）和柵極（1），所述P區（3）與所述N區（4）彼此相鄰，所述絕緣層（2）覆蓋在所述P區（3）和N區（4）上方，所述柵極（1）設置在所述絕緣層（2）上方。

優選的，所述柵極（1）位于所述P區（3）上方或所述N區（4）上方或所述P區（3）和N區（4）結合部上方。

本發明由于只存在一個PN結就可以實現絕緣柵場效應管的相應功能，從而制造簡單，降低了成本。

附圖說明

????圖1?柵極位于P區上方

????圖2?柵極位于N區上方

????圖3?柵極位于結合部上方

具體實施方式

以下結合附圖1，2，3進一步說明本發明的實施例。

見圖1，圖2，圖3，本發明涉及的一種絕緣柵場效應管，包括第一導電類型的P區（3）和與第一導電類型相反的第二導電類型的N區（4），其特征在于：還包括一絕緣層（2）和柵極（1），所述P區（3）與所述N區（4）彼此相鄰，所述絕緣層（2）覆蓋在所述P區（3）和N區（4）上方，所述柵極（1）設置在所述絕緣層（2）上方。

優選的，所述柵極（1）位于所述P區（3）上方或所述N區（4）上方或所述P區（3）和N區（4）結合部上方。

本發明由于只存在一個PN結就可以實現絕緣柵場效應管的相應功能，從而制造簡單，降低了成本。

對所公開的實施例的上述說明，使本領域專業技術人員能夠實現或使用本發明。對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發明的精神或范圍內的情況下，在其他實施例中實現。因此，本發明將不會限制于本文所示的這些實施例，而是要符合于本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。

同樣的，本文述及的上方等字眼是為了描述方便，依據附圖繪制的相對位置關系進行描述，不應理解為對實際產品的限制。