[發(fā)明專利]一種下部電極及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310053249.4 | 申請日: | 2013-02-19 |
| 公開(公告)號: | CN103149751A | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔣曉緯;肖紅璽;劉華鋒;陳皓;朱孝會 | 申請(專利權(quán))人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 下部 電極 及其 制作方法 | ||
1.一種下部電極,包括金屬基板和絕緣層,其特征在于,所述金屬基板包括:基板本體以及多個設(shè)置在所述基板本體上表面的凸出部,所述絕緣層覆蓋所述基板本體的上表面以及設(shè)置在所述基板本體上表面的凸出部,且在所述凸出部處形成凸出絕緣點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下部電極,其特征在于,所述基板本體上表面的絕緣層厚度與所述凸出部上表面的絕緣層厚度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下部電極,其特征在于,形成所述絕緣層的材料為陶瓷。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下部電極,其特征在于,所述凸出部的上表面為平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下部電極,其特征在于,所述凸出部在所述基板本體的上表面以點陣形式排布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的下部電極,其特征在于,所述凸出部與所述金屬基板一體成型。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的下部電極,其特征在于,所述凸出部通過設(shè)置其他層形成在所述基板本體的上表面。
8.一種如權(quán)利要求1所述的下部電極的制作方法,其特征在于,包括:
形成具有凸出部的金屬基板;
形成覆蓋所述基板本體上表面以及所述凸出部的絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法,其特征在于,通過一次工藝形成包括基板本體和凸出部的金屬基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述金屬基板經(jīng)不同工藝分別形成所述基板本體和所述凸出部。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





