[發明專利]電壓轉換裝置

有效

• 申請號: 201310053199.X
• 申請日: 2013-02-19
• 公開（公告）號: CN103997332B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 杜盈德
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0175
• 分類號: H03K19/0175
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 任默聞

1.一種電壓轉換裝置，其特征是，所述電壓轉換裝置適用于一動態隨機存取存儲器，所述動態隨機存取存儲器操作于一工作模式以及一待命模式，包括：

一第一電路，耦接至一第一供應電源，具有一輸入端以及一第一輸出端，其中所述第一輸出端輸出一第一輸出信號，所述第一輸出信號具有一第一電壓范圍，所述第一電壓范圍是位于一第一高邏輯位準與一低邏輯位準之間；

一第二電路，耦接至低于所述第一供應電源的一第二供應電源，具有一第二輸出端，其中所述第二輸出端輸出一第二輸出信號，所述第二輸出信號具有一第二電壓范圍，所述第二電壓范圍是位于一第二高邏輯位準與所述低邏輯位準之間；以及

一邏輯電路，耦接于所述第一電路與所述第二電路之間，并耦接至所述第二供應電源，根據位于低邏輯位準的一失能信號提供所述第二輸出信號至所述輸入端，并根據位于高邏輯位準的所述失能信號提供具有一低邏輯位準的定電壓至所述輸入端。

2.如權利要求1所述的電壓轉換裝置，其特征是，當所述動態隨機存取存儲器操作于所述工作模式時，所述邏輯電路接收位于低邏輯位準的所述失能信號。

3.如權利要求1所述的電壓轉換裝置，其特征是，當所述動態隨機存取存儲器操作于所述待命模式時，所述邏輯電路接收位于高邏輯位準的所述失能信號。

4.如權利要求1所述的電壓轉換裝置，其特征是，所述第一電路為一反相器時，所述第一電路包括:

一PMOS晶體管，具有耦接至所述第一供應電源的一第一源極，耦接至所述輸入端的一第一柵極，以及一第一漏極；以及

一NMOS晶體管，具有耦接至一接地點的一第二源極，耦接至所述輸入端的一第二柵極，以及耦接至所述第一漏極的一第二漏極，其中所述第一漏極與所述第二漏極的連接點為所述第一輸出端。

5.如權利要求1所述的電壓轉換裝置，其特征是，所述邏輯電路為一多工器。

6.如權利要求1所述的電壓轉換裝置，其特征是，所述第二電路為一反相器、一多工器、一NOR柵或一NAND柵。

7.一種電壓轉換裝置，其特征是，所述電壓轉換裝置適用于一動態隨機存取存儲器，所述動態隨機存取存儲器操作于一工作模式以及一待命模式，包括：

一第一電路，耦接至一第一供應電源，具有一輸入端以及一輸出端，其中所述輸出端輸出一第一輸出信號，所述第一輸出信號具有一第一電壓范圍，所述第一電壓范圍是位于一第一高邏輯位準與一低邏輯位準之間；以及

一邏輯電路，包括一NOR柵，接收一輸入信號且耦接至所述第一電路的所述輸入端，并耦接至小于所述第一供應電源的一第二供應電源，根據位于低邏輯位準的一失能信號提供所述輸入信號至所述輸入端，并根據位于高邏輯位準的所述失能信號提供具有一低邏輯位準的定電壓至所述輸入端。

8.如權利要求7所述的電壓轉換裝置，其特征是，當所述動態隨機存取存儲器操作于所述工作模式時，所述邏輯電路接收位于低邏輯位準的所述失能信號。

9.如權利要求7所述的電壓轉換裝置，其特征是，當所述動態隨機存取存儲器操作于所述待命模式時，所述邏輯電路接收位于高邏輯位準的所述失能信號。