[發明專利]制造半導體器件的方法及半導體器件

有效

• 申請號: 201310052865.8
• 申請日: 2013-02-18
• 公開（公告）號: CN103258744B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 愛德華·菲爾古特;約阿希姆·馬勒
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 余剛,李靜

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一主面和與所述第一主面相對的第二主面的半導體芯片，所述半導體芯片包括與所述第一主面相鄰的電子器件；以及

在所述第二主面處從所述半導體芯片選擇性地去除除了預定部分之外的材料，使得在所述第二主面處保持非平面表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述預定部分包括周緣邊緣部。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，在所述半導體芯片中形成蝕刻停止區域。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，形成所述蝕刻停止區域包括，從所述第一主面選擇性地摻雜所述半導體芯片，以形成所述蝕刻停止區域。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，選擇性地去除所述半導體芯片包括，從所述第二主面到所述蝕刻停止區域蝕刻所述半導體芯片。

6.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，在所述第二主面處從所述半導體芯片選擇性地去除材料之前，在所述第二主面的周緣邊緣部上施加掩模層。

7.根據權利要求1所述的方法，進一步包括，在所述第二主面處從所述半導體芯片選擇性地去除材料之前，在所述半導體芯片上施加密封層。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，施加所述密封層包括，將所述密封層施加到所述第一主面以及連接所述第一主面與所述第二主面的側面上，使得所述密封層包括與所述半導體芯片的第一主面面對的第一主面以及與所述半導體芯片的第二主面共面的第二主面。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括，選擇性地去除所述半導體芯片的第一主面與所述密封層的第一主面之間的所述密封層。

10.根據權利要求8所述的方法，其中，所述選擇性地去除包括，連同所述半導體芯片的第二主面處的半導體芯片材料一起而選擇性去除所述密封層的第二主面處的密封層。

11.根據權利要求10所述的方法，其中，去除所述密封層和所述半導體芯片包括，研磨或化學-機械拋光。

12.根據權利要求7所述的方法，其中，施加所述密封層包括，在所述第二主面處選擇性去除所述半導體芯片之前，將所述密封層施加到所述第二主面以及連接所述第一主面與所述第二主面的側面上，使得所述密封層包括與所述半導體芯片的第一主面共面的第一主面以及與所述半導體芯片的第二主面面對的第二主面。

13.根據權利要求12所述的方法，進一步包括，選擇性地去除所述半導體芯片的第二主面與所述密封層的第二主面之間的密封層，之后從所述半導體芯片在其第二主面處選擇性地去除材料。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選擇性地去除包括，選擇性去除所述半導體芯片，直到所述第一主面與所述第二主面之間的半導體芯片的厚度小于100μm。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，所述選擇性地去除包括，為所述預定部分和另外的部分而選擇性地去除所述半導體芯片的材料。

16.根據權利要求15所述的方法，其中，所述另外的部分相對于所述半導體芯片的中心軸線對稱布置。

17.根據權利要求1所述的方法，進一步包括：

在選擇性地去除所述半導體芯片之后，將電接觸元件應用于所述第一主面和/或所述第二主面。

18.一種制造多個半導體器件的方法，所述方法包括：

提供多個半導體芯片，每個都具有第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，且每個半導體芯片都包括與所述第一主面相鄰的電子器件；以及

從每個所述半導體芯片在其第二主面處選擇性地去除除了相應的預定部分之外的材料。

19.根據權利要求18所述的方法，進一步包括，將密封層施加到所述半導體芯片上。

20.根據權利要求18所述的方法，進一步包括，在每個所述半導體芯片的周緣邊緣部上施加掩模層。

21.根據權利要求18所述的方法，進一步包括，在每個所述半導體芯片中形成蝕刻停止區域。