[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310052685.X
• 申請(qǐng)日: 2013-02-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103258787B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李鎬珍;李圭夏;崔吉鉉;崔溶洵;姜泌圭;樸炳律;鄭顯秀
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 韓芳,劉奕晴

本專(zhuān)利申請(qǐng)要求于2012年2月15日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2012-0015238號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，該韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用被包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例總體涉及一種半導(dǎo)體裝置和/或制造方法，更具體地講，涉及具有貫通電極(through electrode)或?qū)щ娍捉Y(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置和/或制造該半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)

制造具有貫通電極或貫通硅孔(TSV)的半導(dǎo)體裝置的工藝可以包括使貫通電極從基底的底表面向外突出、在基底的底表面上沉積傳統(tǒng)的化學(xué)氣相沉積(CVD)層、然后利用化學(xué)-機(jī)械拋光工藝來(lái)暴露貫通電極。傳統(tǒng)CVD層可能具有差的臺(tái)階覆蓋性質(zhì)。例如，傳統(tǒng)CVD層可能形成為在貫通電極上比在其它部分上厚。結(jié)果，下絕緣層可能折疊，貫通電極可能形成為在其突出長(zhǎng)度方面具有大的偏差。這些可能導(dǎo)致貫通電極在后續(xù)平坦化工藝中翹曲或損壞，因此生產(chǎn)良率可能下降。

發(fā)明內(nèi)容

至少一個(gè)示例實(shí)施例涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法包括在基層中形成導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)。所述基層具有第一表面和第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)。所述方法還包括：去除所述基層的第二表面，以暴露導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)從第二表面突出；在第二表面上形成第一下絕緣層，使得導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)的端部表面保持為被第一下絕緣層暴露。

在另一實(shí)施例中，所述方法包括在基層中形成導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)。所述基層具有第一表面和第二表面，第二表面與第一表面相對(duì)。所述方法還包括去除所述基層的第二表面，以暴露導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)，從而導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)從第二表面突出；執(zhí)行可流動(dòng)的化學(xué)氣相沉積，以在第二表面上形成第一下絕緣層。

至少一個(gè)示例實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體裝置。

在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括基底，所述基底具有在其上形成有集成電路的第一表面。基底具有與第一表面相對(duì)的第二表面。導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底中并且從第二表面突出。第一下絕緣層位于第二表面上，使得至少導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)的端部被暴露。

在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體裝置包括基底，所述基底具有在其上形成有集成電路的第一表面。基底具有與第一表面相對(duì)的第二表面。導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)設(shè)置在基底中并且從第二表面突出。可流動(dòng)的化學(xué)氣相沉積層位于第二表面上，使得至少導(dǎo)電孔結(jié)構(gòu)的端部被暴露。

至少一個(gè)示例實(shí)施例涉及一種包括根據(jù)上述實(shí)施例之一的半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)卡、一種信息處理系統(tǒng)等。

附圖說(shuō)明

從下面結(jié)合附圖進(jìn)行的簡(jiǎn)要描述中，示例實(shí)施例將被更清楚地理解。如這里所描述的，附圖表示非限制性的示例實(shí)施例。

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的剖視圖。

圖2A至圖2C是示出設(shè)置在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置中的電連接部分的各種示例的剖視圖。

圖3是示出包括圖1中的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。

圖4A至圖4H是示出根據(jù)本發(fā)明示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖4I至圖4K示出了制造半導(dǎo)體裝置的方法的可選實(shí)施例。

圖5A至圖5C是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖5D是示出圖5C的改進(jìn)示例的剖視圖。

圖6A至圖6C是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖6D和圖6E是示出圖6C的改進(jìn)示例的剖視圖。

圖7A至圖7D是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖7B是示出圖7A中的一部分的放大剖視圖。

圖8A至圖8D是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖8B是示出圖8A中的一部分的放大剖視圖。

圖9A至圖9C是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖10A至圖10C是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖11A至圖11C是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。

圖11D是示出圖11C的改進(jìn)示例的剖視圖。

圖12A至圖12D是示例性示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一示例實(shí)施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的剖視圖。