[發(fā)明專利]連接器電路及其高壓突波保護(hù)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310052660.X
• 申請(qǐng)日: 2013-02-18
• 公開（公告）號(hào): CN103855550B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 岑國(guó)綸;吳惠謀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 技嘉科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01R13/66
• 分類號(hào): H01R13/66;H02H9/02
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司72003
• 代理人: 章侃銥,鄭特強(qiáng)

1.一種連接器電路，其特征在于，所述連接器電路包括：

一阻絕變壓器，具有一第一側(cè)線圈以及一第二側(cè)線圈，其中所述第一側(cè)線圈具有一第一端點(diǎn)、一第二端點(diǎn)以及一第一中間抽頭；

一阻抗匹配電路，耦接于所述第一中間抽頭與一中繼端點(diǎn)之間；

一高壓電容，耦接于所述中繼端點(diǎn)與一接地端之間；以及

一第一高壓突波保護(hù)器，耦接于所述第一中間抽頭與所述中繼端點(diǎn)之間；

其中，當(dāng)一高壓突波發(fā)生于所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間，且所述高壓突波超過(guò)一默認(rèn)值，所述第一高壓突波保護(hù)器被導(dǎo)通，以嵌制流經(jīng)所述阻抗匹配電路的電流；當(dāng)一直流高壓發(fā)生于所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間，所述高壓電容視為斷路以使所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間無(wú)法形成電流路徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器電路，其特征在于，其中所述第一高壓突波保護(hù)器是為一突波抑制單元或?yàn)橐患舛朔烹娊Y(jié)構(gòu)，所述尖端放電結(jié)構(gòu)是為一導(dǎo)電層，形成于電路板上且具有尖端結(jié)構(gòu)，并在高壓突波發(fā)生時(shí)進(jìn)行尖端放電。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器電路，其特征在于，其中所述第一高壓突波保護(hù)器是由一突波抑制單元以及一尖端放電結(jié)構(gòu)并聯(lián)組成，所述尖端放電結(jié)構(gòu)是為一導(dǎo)電層，形成于電路板上且具有尖端結(jié)構(gòu)，并在高壓突波發(fā)生時(shí)進(jìn)行尖端放電。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器電路，其特征在于，其中更包括一第二高壓突波保護(hù)器，耦接于所述中繼端點(diǎn)與所述接地端之間，且當(dāng)高壓突波發(fā)生于所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間，且所述高壓突波超過(guò)所述默認(rèn)值，所述第二高壓突波保護(hù)器被導(dǎo)通，以嵌制流經(jīng)所述高壓電容的電流。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連接器電路，其特征在于，其中所述第二高壓突波保護(hù)器是為一突波抑制單元或?yàn)橐患舛朔烹娊Y(jié)構(gòu)，所述尖端放電結(jié)構(gòu)是為一導(dǎo)電層，形成于電路板上且具有尖端結(jié)構(gòu)，并在高壓突波發(fā)生時(shí)進(jìn)行尖端放電。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連接器電路，其特征在于，所述連接器電路更包括：

一第二阻絕變壓器，具有一第三側(cè)線圈以及一第四側(cè)線圈，其中所述第三側(cè)線圈具有一第三端點(diǎn)、一第四端點(diǎn)以及一第二中間抽頭；

一第二阻抗匹配電路，耦接于所述第二中間抽頭與所述中繼端點(diǎn)之間；

一第三高壓突波保護(hù)器，耦接于所述第一中間抽頭與所述第二中間抽頭之間；以及

一第四高壓突波保護(hù)器，耦接于所述第二中間抽頭與所述中繼端點(diǎn)之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的連接器電路，其特征在于，其中所述第三高壓突波保護(hù)器以及所述第四高壓突波保護(hù)器是分別為一突波抑制單元或/及一尖端放電結(jié)構(gòu)，所述尖端放電結(jié)構(gòu)是為一導(dǎo)電層，形成于電路板上且具有尖端結(jié)構(gòu)，并在高壓突波發(fā)生時(shí)進(jìn)行尖端放電。

8.一種連接器電路的高壓突波保護(hù)方法，其特征在于，所述連接器電路包括一阻絕變壓器，具有一第一側(cè)線圈以及一第二側(cè)線圈，其中所述第一側(cè)線圈具有一第一端點(diǎn)、一第二端點(diǎn)以及一第一中間抽頭；所述高壓突波保護(hù)方法包括以下步驟：

設(shè)置一阻抗匹配電路耦接于所述第一中間抽頭與一中繼端點(diǎn)之間；

設(shè)置一第一高壓突波保護(hù)器于所述第一中間抽頭與所述中繼端點(diǎn)之間；

設(shè)置高壓電容耦接于所述中繼端點(diǎn)與一接地端之間；以及

當(dāng)一高壓突波發(fā)生于所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間，且所述高壓突波超過(guò)一默認(rèn)值，導(dǎo)通所述第一高壓突波保護(hù)器，以嵌制流經(jīng)所述阻抗匹配電路的電流；當(dāng)一直流高壓發(fā)生于所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間，所述高壓電容視為斷路以使所述第一端點(diǎn)或所述第二端點(diǎn)與所述接地端之間無(wú)法形成電流路徑。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高壓突波保護(hù)方法，其特征在于，其中更包括以下步驟：

設(shè)置一第二高壓突波保護(hù)器于所述中繼端點(diǎn)與所述接地端之間；以及

當(dāng)一高壓突波發(fā)生于所述連接器電路，而使得所述中繼端點(diǎn)與所述接地端之間的高壓突波超過(guò)一默認(rèn)值，導(dǎo)通所述第二高壓突波保護(hù)器，以嵌制流經(jīng)一高壓電容的電流。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的高壓突波保護(hù)方法，其特征在于，其中更包括以下步驟：

設(shè)置一第三高壓突波保護(hù)器于所述第一側(cè)線圈的所述第一中間抽頭與一第三側(cè)線圈的一第二中間抽頭之間；以及

當(dāng)一高壓突波發(fā)生于所述連接器電路，而使得所述第一中間抽頭與所述第二中間抽頭之間的高壓突波超過(guò)一默認(rèn)值，導(dǎo)通所述第三高壓突波保護(hù)器。