[發明專利]顯示面板和顯示裝置

無效

• 申請號: 201310052585.7
• 申請日: 2013-02-18
• 公開（公告）號: CN103377608A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 齊藤信美;上田知正;山口一;三浦健太郎;中野慎太郎;坂野龍則
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G09G3/00
• 分類號: G09G3/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種顯示面板，包括：

具有主表面的襯底，所述襯底是透光性的；

設置在所述主表面上且包括半導體層的開關元件；

設置在所述主表面上且電連接至所述開關元件的像素電極，所述像素電極是透光性的；

設置在所述像素電極上的有機發光層；

設置在所述有機發光層上的相對電極；

設置在所述襯底和所述像素電極的至少一部分之間的檢測電極，所述檢測電極包括包含在所述半導體層中的至少一個元件，所述檢測電極是透光性的；以及

設置在所述像素電極和所述檢測電極之間的絕緣層，所述絕緣層是透光性的。

2.如權利要求1所述的面板，其特征在于，所述檢測電極和所述襯底之間沿垂直于所述主表面的第一方向的距離與所述半導體層和所述襯底之間沿所述第一方向的距離之間的差為10nm以下。

3.如權利要求1所述的面板，其特征在于，所述半導體層和所述檢測電極包括非晶氧化物。

4.如權利要求3所述的面板，其特征在于，所述半導體層和所述檢測電極包含In、Ga和Zn中的至少一種。

5.如權利要求4所述的面板，其特征在于，所述半導體層的厚度為10nm以上且100nm以下。

6.如權利要求1所述的面板，其特征在于，

所述絕緣層包括有機層，且

所述有機層沿垂直于主表面的第一方向的厚度為1μm以上且10μm以下。

7.如權利要求1所述的面板，其特征在于，

所述絕緣層包括接觸所述檢測電極的接觸層，且

所述接觸層包括氧化硅膜、氧氮化硅膜和氮化硅膜中的至少一個。

8.如權利要求7所述的面板，其特征在于，所述接觸層包含濃度為1×10¹⁹個原子/cm³以上的氫。

9.如權利要求7所述的面板，其特征在于，所述接觸層的厚度為100nm以上且200nm以下。

10.如權利要求1所述的面板，其特征在于，

所述襯底包括聚酰亞胺樹脂和芳族聚酰胺樹脂中的至少一個，且

所述襯底是柔性的。

11.如權利要求1所述的面板，其特征在于，所述相對電極包含Al和MgAg中的至少一種。

12.如權利要求1所述的面板，其特征在于，所述相對電極的厚度為5nm以上且500nm以下。

13.如權利要求1所述的面板，其特征在于，所述像素電極包括ITO、ITO/Ag/ITO層疊結構和包含Al的ZnO中的一種。

14.如權利要求1所述的面板，其特征在于，

所述開關元件包括

設置在所述主表面上的柵電極，

設置在所述柵電極上的柵極絕緣膜；

設置在所述柵極絕緣膜上的所述半導體層，所述半導體層包括第一區域、與所述第一區域分開的第二區域以及設置在所述第一區域和所述第二區域之間的第三區域，

電連接至所述第一區域和所述像素電極的第一導電部分，和

設置為與所述第一導電部分分開且電連接至所述第二區域的第二導電部分。

15.如權利要求14所述的面板，其特征在于，所述檢測電極設置在所述柵極絕緣膜上。

16.如權利要求14所述的面板，其特征在于，

所述開關元件還包括至少設置在所述第三區域上的溝道保護膜。

17.如權利要求1所述的面板，其特征在于，還包括在所述相對電極上設置的密封層，

所述密封層包括氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、氧化鋁和氧化鉭膜中的至少一個。