[發(fā)明專利]一面平滑的聚酰亞胺薄膜有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310052260.9 | 申請日: | 2008-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN103231568A | 公開(公告)日: | 2013-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宮本貴男;巖井英記;西野敏之;名越康浩 | 申請(專利權(quán))人: | 宇部興產(chǎn)株式會社 |
| 主分類號: | B32B27/34 | 分類號: | B32B27/34;C08J5/18;C08J7/04;C08L79/08;C08G73/10 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 孔青;孟慧嵐 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一面 平滑 聚酰亞胺 薄膜 | ||
本申請為申請日為2008年4月14日、申請?zhí)枮?00880019824.6、發(fā)明名稱為“一面平滑的聚酰亞胺薄膜”的申請的分案申請。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及可有利地用作液晶顯示器、有機電致發(fā)光顯示器、和電子紙等信息顯示裝置、以及太陽能電池等電氣·電子裝置的基材的高彈性模量、高耐熱性、一個面的表面平滑性高的聚酰亞胺薄膜。本發(fā)明進一步涉及使用本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜的液晶顯示器、有機電致發(fā)光元件、電子紙等信息顯示裝置和太陽能電池等電氣·電子裝置。
背景技術(shù)
芳族聚酰亞胺薄膜由于其優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性、熱學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì),廣泛用作各種電子裝置的基材。
專利文獻1中記載了芳族聚酰亞胺薄膜作為液晶顯示器用、電子紙用基礎(chǔ)基材的應(yīng)用。
專利文獻2中記載了磁帶用基膜,該磁帶用基膜含有拉伸彈性模量為9000-15000MPa、在室溫以上500℃以下的溫度區(qū)域中不顯示明確的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)的聚酰亞胺,表示薄膜的至少一個面的平滑性的Ra為1.0nm以下、薄膜厚度為5μm以上、低于10μm。該磁帶用基膜可通過兩種聚酰胺酸溶液的同時疊合(重)來制備。
專利文獻3中公開了在自支撐性薄膜上涂布聚酰亞胺前體溶液的制備方法。
專利文獻1:日本特開2006-336009號公報
專利文獻2:日本特開2003-160677號公報
專利文獻3:日本特開昭63-297038號公報
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供聚酰亞胺薄膜,該聚酰亞胺薄膜作為顯示器用、電子紙用的基材、特別是基礎(chǔ)材料特別有用,其一個面為粗糙面,一個面具有平滑性,是由含有3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含有對苯二胺的成分得到的。
本發(fā)明是一種聚酰亞胺薄膜,該聚酰亞胺薄膜是在含有填充劑的聚酰亞胺樹脂區(qū)域上連續(xù)形成由含有3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分、和含有對苯二胺的二胺成分得到的聚酰亞胺樹脂區(qū)域得到的、厚度在20-150μm范圍的聚酰亞胺樹脂薄膜,其中,所述的含有填充劑的聚酰亞胺樹脂區(qū)域包含由含有3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含有對苯二胺的二胺成分得到的聚酰亞胺樹脂、以及分散在該聚酰亞胺樹脂中的填充劑;含有填充劑的聚酰亞胺樹脂區(qū)域一側(cè)的薄膜表面的Ra超過1.0nm、在2.5nm以下,其相反一側(cè)的薄膜表面的Ra為1.0nm以下。
本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜可通過包括以下步驟的方法制備:在自支撐性薄膜的一個表面上涂布由含3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含對苯二胺的二胺成分得到的、不含填充劑的聚酰亞胺前體溶液,形成復(fù)合體薄膜的步驟,其中,所述自支撐性薄膜包含由含3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含對苯二胺的二胺成分獲得的、含有填充劑的聚酰亞胺前體溶液;以及將該復(fù)合體薄膜加熱、進行酰亞胺化的步驟。
本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜還可通過包括以下步驟的方法制備:在自支撐性薄膜的、制備含溶劑自支撐性薄膜時不與支撐體表面接觸的表面上涂布由含3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含對苯二胺的二胺成分得到的、不含填充劑的聚酰亞胺前體溶液,形成復(fù)合體薄膜的步驟;以及將該復(fù)合體薄膜加熱、進行酰亞胺化的步驟。其中,所述自支撐性薄膜通過包括下述步驟的方法獲得:將由含3,3’,4,4’-聯(lián)苯四甲酸二酐的酸成分和含對苯二胺的二胺成分獲得的、含有填充劑的聚酰亞胺前體溶液在平滑的支撐體表面流延,形成含有填充劑的聚酰亞胺前體溶液薄膜的步驟;對含有填充劑的聚酰亞胺前體溶液薄膜進行干燥,變換為含填充劑的含溶劑自支撐性薄膜的步驟;從支撐體表面剝離該自支撐性薄膜的步驟;以及將剝離的自支撐性薄膜加熱,蒸發(fā)除去一部分溶劑的步驟。
本發(fā)明的聚酰亞胺薄膜的優(yōu)選方案如下所示。
1)上側(cè)的聚酰亞胺樹脂區(qū)域是不含填充劑的區(qū)域,或者是以比在下側(cè)的含填充劑的聚酰亞胺樹脂區(qū)域中所含的填充劑低的濃度含有填充劑的區(qū)域。
2)上側(cè)的聚酰亞胺樹脂區(qū)域的厚度在0.6-1.2μm范圍。
3)填充劑選自二氧化鈦粉末、二氧化硅粉末、氧化鎂粉末、氧化鋁粉末、氧化鋅粉末、氮化硅粉末、氮化鈦粉末、碳化硅粉末、碳酸鈣粉末、硫酸鈣粉末、硫酸鋇粉末、聚酰亞胺微纖維、聚酰亞胺粉末、聚酰胺微粉末、以及聚酰胺粉末。
本發(fā)明的一面平滑的聚酰亞胺薄膜具有高彈性、高耐熱性、高耐彎折性,因此可有利地用作顯示器用、電子紙用的基材,特別是基礎(chǔ)材料。
附圖簡述
圖1示意性表示本發(fā)明的一面平滑的聚酰亞胺薄膜的截面構(gòu)成。
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