[發明專利]半導體芯片封裝、半導體芯片組件和制造器件的方法

有效

• 申請號: 201310052247.3
• 申請日: 2008-10-08
• 公開（公告）號: CN103107167B
• 公開（公告）日: 2016-11-09
• 發明（設計）人: T.邁耶;M.布倫鮑爾;J.波爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/31
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 謝攀;盧江

本申請為分案申請，其母案的發明名稱為“半導體芯片封裝、半導體芯片組件和制造器件的方法”，申請日為2008年10月8日，申請號為200810166144.9。

技術領域

本發明涉及用于制造至少一個器件的方法，半導體芯片封裝和半導體芯片組件。

背景技術

在半導體芯片封裝技術中的一個挑戰是關于將半導體芯片的接觸焊墊連接到外部的接觸元件。另一個挑戰是增長的通過芯片或者封裝分層的功能密度。在芯片分層中，兩個或者多個半導體芯片被分層并且容納在一個芯片封裝中。當將半導體芯片容納到芯片封裝中時，半導體芯片的接觸焊墊就必須連接到芯片封裝的外部接觸元件。

附圖說明

附圖提供了對說明書的實施例的進一步的理解并且成為說明書的一部分。附圖說明了實施例并且和說明書一起用于解釋實施例的原理。其它實施例和實施例的優點將很容易理解，這是因為通過參考下面的詳細描述將更容易理解它們。附圖的元件沒有必要按著相互的比例畫出。相似的參考符號表示對應相似的部件。

圖1是制造至少一個器件的方法的實施例的流程圖。

圖2A-I是表示中間產品和器件的橫截面圖，并且表示如圖1所示的實施例的其它實施例的處理設備。

圖3A-D是根據用于制造至少一個器件的方法的其它實施例制造的器件的不同實施例的橫截面圖。

圖4是用于制造至少一個器件的方法的其它實施例的流程圖。

圖5A-F是中間產品和器件的橫截面圖，示出了如圖1，2A-I，2A-D和4的其它實施例。

圖6是用于制造半導體芯片組件的方法的實施例的流程圖。

圖7A和7B示出了中間產品和半導體芯片組件的橫截面圖，示出了如圖6所示的實施例的其它實施例。

圖8示出了半導體芯片封裝的實施例的橫截面圖。

圖9A-F是表示中間產品和器件的橫截面圖，并且表示制造至少一個器件的其它實施例的處理設備。

圖10A和10B是表示中間產品和器件的橫截面圖，并且表示制造至少一個器件的其它實施例的處理設備。

圖11A-C是表示中間產品和器件的橫截面圖，用于表示制造至少一個器件的其它實施例。

具體實施方式

在下面的參考附圖進行的詳細說明中，該附圖是說明書的一部分，其中通過說明實現本發明的具體實施例的方式示出。在這一點上，方向術語，例如“頂部”、“底部”、“前面”、“后面”、“前沿”、“后沿”是參考被描述的圖的方向來使用的。因為實施例的各部件以不同的方向被定向，所以使用方向術語的目的是說明性的而不是限制性的。可以理解，可以使用其它實施例，并且可以進行結構或邏輯變化而不脫離本發明的范圍。因此，下面的詳細描述不是限制性的，本發明的范圍由權利要求書來限定。

可以理解，這里描述的各種示例性實施例的特征可以相互組合，除非另有特別說明。

現在參考附圖描述實施例，其中通常用相似的參考符號表示相同的元件。在下面的描述中，出于解釋的目的，設定了具體的數字以便提供對一個或者多個實施例的全面了解。然而，本領域的技術人員很清楚，可以使用更具體的細節來實現一個或者多個實施例。在其它的例子中，以示意性的形式描述了公知的結構和元件，以便簡化描述一個或者多個實施例。因此下面的描述不是出于限制性目的，其范圍由權利要求書來限定。

用于制造至少一個器件的方法的實施例，用于制造半導體芯片組件的方法的實施例和用于半導體芯片封裝的實施例可以使用多種類型的半導體芯片或者半導體襯底，其中包括邏輯集成電路，模擬集成電路，混合信號集成電路，傳感器電路，MEMS（微機電系統），功率集成電路，具有集成的無源元件的芯片。

在多個實施例中，將多個層或者堆層應用到彼此上，或者涂覆或沉積材料到層上。可以理解，例如術語“涂覆”或者“沉積”的意思是完全覆蓋了將多層涂覆到彼此上的所有技術。在一個實施例中，它們的意思是覆蓋技術，其中將多層作為整體一次涂覆，例如疊置技術和將多層順序沉積的技術，例如濺射、電鍍、模制、CVD等。

半導體芯片可以包括在它們的外表面的一個或多個上的接觸元件或接觸墊，其中接觸元件用于電接觸半導體芯片。可以使用任何導電材料來制造接觸元件，例如使用鋁、金或者銅的材料，或者使用合金材料，或者使用導電的有機材料、或者使用導電的半導體材料。