[發(fā)明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310052224.2
• 申請日: 2008-02-02
• 公開（公告）號: CN103456686A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 神保安弘;伊佐敏行;本田達也
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：?

在襯底上形成鉬膜；?

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；?

在所述氧化鉬膜上形成非金屬無機膜；?

在所述非金屬無機膜上形成所述半導體裝置的支撐構件；?

在所述支撐構件上形成第一電極；?

在所述第一電極上形成發(fā)光層；?

在所述發(fā)光層上形成第二電極；?

在所述第二電極上貼合撓性襯底；以及?

從所述襯底剝離包括所述非金屬無機膜、所述支撐構件、所述第一電極、所述發(fā)光層、所述第二電極和所述撓性襯底的疊層體。?

2.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：?

在襯底上形成鉬膜；?

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；?

在所述氧化鉬膜上形成非金屬無機膜；?

在所述非金屬無機膜上形成所述半導體裝置的支撐構件；?

通過印刷法在所述支撐構件上印刷導電層；?

在所述印刷之后對所述導電層進行焙燒；?

將半導體構件和所述導電層彼此貼合；以及?

從所述襯底剝離包括所述非金屬無機膜、所述支撐構件和所述導電層的疊層體、以及所述半導體構件。?

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：?

在從所述襯底剝離所述疊層體及所述半導體構件之前部分地照射激光束。?

4.一種半導體裝置的制造方法，包括如下步驟：?

在襯底上形成鉬膜；?

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；?

在所述氧化鉬膜上形成非金屬無機膜；?

在所述非金屬無機膜上形成所述半導體裝置的支撐構件；?

通過印刷法在所述支撐構件上印刷導電層；?

在所述印刷之后對所述導電層進行焙燒；?

從所述襯底剝離包括所述非金屬無機膜、所述支撐構件和所述導電層的疊層體；以及?

在從所述襯底剝離所述疊層體之后將半導體構件連接到所述導電層。?

5.根據(jù)權利要求2或4所述的半導體裝置的制造方法，其中所述導電層是天線。?

6.根據(jù)權利要求1、2、和4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中通過大于或等于180℃且低于500℃的溫度加熱來形成所述支撐構件。?

7.根據(jù)權利要求1或4所述的半導體裝置的制造方法，還包括如下步驟：?

在從所述襯底剝離所述疊層體之前部分地照射激光束。?

8.根據(jù)權利要求1、2、和4中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中所述襯底是選自如下組中的襯底：玻璃襯底、陶瓷襯底、以及石英襯底。?

9.根據(jù)權利要求1、2和4中任一項所述的半導體裝置的制造方?法，其中以與所述鉬膜接觸的方式形成所述氧化鉬膜。?

10.一種發(fā)光裝置的制造方法，包括如下步驟：?

在襯底上形成鉬膜；?

在所述鉬膜上形成氧化鉬膜；?

在所述氧化鉬膜上形成非金屬無機膜；?

在所述非金屬無機膜上形成有機化合物膜；?

在所述有機化合物膜上形成無機絕緣膜；?

在所述無機絕緣膜上形成第一電極；?

在所述第一電極上形成發(fā)光層；?

在所述發(fā)光層上形成第二電極；?

通過在所述第二電極和撓性襯底之間提供粘合層在所述第二電極上貼合所述撓性襯底；以及?

從所述襯底剝離所述有機化合物膜、所述無機絕緣膜、所述第一電極、所述發(fā)光層、所述第二電極、所述粘合層、和所述撓性襯底。?

11.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中所述有機化合物膜的厚度為5-100μm。?

12.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其中所述有機化合物膜作為所述發(fā)光裝置的支撐構件。?

13.根據(jù)權利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，?

其中所述第一電極包括透明氧化物膜和反光金屬膜，?

其中所述反光金屬膜形成在所述無機絕緣膜上，并且?

其中所述透明氧化物膜形成在所述反光金屬膜上。?