[發明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310051912.7
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103199060A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 高山;黃煒赟;高永益
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368;G03F7/00
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法及顯示裝置。

背景技術

ADS是目前TFT-LCD的一種主流的寬視角技術，ADS型TFT-LCD具有制程相對簡單、超寬視角、高開口率、低響應時間等優點。目前主流的制程是6mask（掩膜）工序，mask（掩膜）數目多，工序相對較多，導致制作成本高。

為降低成本，現有技術中，在溝道處用HTM（半色調）或者是灰色調之類的mask技術應用于SD（源漏極和數據線）,Active（有源層）mask的5mask的工序，但面臨像素電極經過Active（有源層）和SD（漏極所在層）爬坡發生斷裂，導致顯示異常的風險。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法及顯示裝置，在像素電極與漏極相連接的地方也采用坡度控制的掩膜版，減小像素電極爬坡的段差，解決段差過大問題造成像素電極斷裂的問題。

為解決上述技術問題，本發明的實施例提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，包括以下步驟：

S11，在襯底基板上形成薄膜晶體管、柵線圖形和數據線圖形；其中，在形成所述薄膜晶體管的過程中，將薄膜晶體管的漏極的圖形和有源層的圖形靠近像素單元的顯示區域的邊緣形成階梯結構；

S12，在完成步驟S11的襯底基板上形成像素電極的圖形，所述像素電極的圖形覆蓋所述階梯結構和所述像素單元中的顯示區域；

S13，在完成步驟S12的襯底基板上依次形成鈍化層的圖形及公共電極的圖形。

其中，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層、源極和漏極；所述步驟S11包括：

S111，提供一襯底基板；

S112，在所述襯底基板上形成柵極金屬薄膜，由構圖工藝形成包括柵極和柵線的圖形；

S113，在完成步驟S112的襯底基板上形成柵絕緣層；

S114，在所述柵絕緣層上形成有源層薄膜以及數據金屬層薄膜，由構圖工藝形成包括位于柵絕緣層上的有源層以及位于所述有源層上的源極、漏極的圖形以及數據線的圖形。

其中，所述步驟S112包括：

S1121，在所述襯底基板上形成柵極金屬層薄膜；

S1122，采用掩膜版通過構圖工藝對所述金屬薄膜進行處理，形成包括柵極和柵線的圖形。

其中，所述步驟S114包括：

S1141，在所述柵絕緣層上形成有源層薄膜和數據金屬層薄膜；

S1142，通過構圖工藝對所述有源層薄膜和數據金屬層薄膜進行處理，形成位于柵絕緣層上的有源層的圖形，以及位于所述有源層上的源極、漏極的圖形和數據線的圖形。

其中，所述步驟S1142包括：

S11421，在所述數據金屬層薄膜上涂敷一層光刻膠；

S11422，采用多色調或者灰色調掩膜版對光刻膠進行曝光，形成光刻膠的全曝光區域、部分曝光區域和未曝光區域；其中，所述全曝光區域對應所述像素單元內的顯示區域，所述部分曝光區域對應所述薄膜晶體管的溝道區域和有源層靠近漏極一側的邊緣區域，所述未曝光區域對應所述薄膜晶體管的源極和漏極以及數據線；

S11423，對曝光后的光刻膠進行顯影，全曝光區域的光刻膠完全去除，部分曝光區域的光刻膠保留部分厚度，未曝光區域的光刻膠全厚度保留；

S11424，對光刻膠完全去除區域的數據金屬層薄膜和有源層薄膜進行第一次刻蝕，所述數據金屬層薄膜和有源層薄膜經第一次刻蝕后的圖形的邊緣齊平；

S11425，通過灰化工藝，將部分曝光區域的光刻膠完全去除，露出數據金屬層薄膜，將未曝光區域的光刻膠保留部分厚度；

S11426，對所述部分曝光區域上露出的數據金屬層薄膜進行第二次刻蝕，露出該區域上的有源層薄膜；

S11427，去除剩余的光刻膠，從而形成有源層的圖案、源極的圖案和漏極的圖案以及數據線的圖案，且所述有源層的圖案和所述漏極的圖案的邊緣構成所述階梯結構。

其中，所述步驟S12包括：

S121，在完成步驟S11的襯底基板上形成像素電極用的透明導電薄膜；

S122，在所述像素電極用的透明導電薄膜上涂敷一層光刻膠；

S123，采用掩膜版對所述光刻膠進行曝光并顯影，使得覆蓋所述階梯結構和所述顯示區域的光刻膠被保留，覆蓋有源層、源極以及數據線的光刻膠被去除；

S124，刻蝕掉光刻膠被去除的區域的透明導電薄膜；