[發明專利]一種生產單晶硅的熔料工藝

有效

• 申請號: 201310051893.8
• 申請日: 2013-02-17
• 公開（公告）號: CN103074682A
• 公開（公告）日: 2013-05-01
• 發明（設計）人: 尹東坡
• 申請（專利權）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: C30B29/06
• 分類號: C30B29/06;C30B15/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 魏曉波

1.一種生產單晶硅的熔料工藝，其特征在于，包括以下步驟：

1）在熔料開始后的30min-60min內，調節氬氣流量為70L/min-100L/min，使單晶爐的加熱器功率在0KW-80KW的范圍內逐漸上升，石英坩堝的轉速保持在0.5rpm/min-1rpm/min，并使石英坩堝在單晶爐熱場中處于其內盛放的原料硅的頂部距單晶爐的導流筒下沿10mm-20mm的位置；

2）保持加熱器功率為77KW-83KW，其余參數不變，直至石英坩堝內的原料硅發生塌料；

3）發生塌料后，將加熱器功率降至67KW-73KW，使石英坩堝在熱場中上升，直至石英坩堝中的原料硅靠近導流筒的下沿，石英坩堝的轉速升至2rpm/min-3rpm/min，并在原料硅后續熔化的過程中，保證原料硅不接觸導流筒下沿的前提下，使石英坩堝逐步上升；

4）保持工作狀態不變，直至原料硅全部熔化；

5）原料硅全部熔化后，在0s-60s之內，將氬氣流量調整至40L/min-60L/min的范圍內，加熱器功率調為后續引晶工序的引晶功率，石英坩堝的位置升至平口以下35mm-45mm處并保持8min-12min，然后將坩堝位置升至平口位置并保持4min-6min，最后將石英坩堝的位置升至后續引晶工序的引晶堝位，熔料工序完成。

2.根據權利要求1所述的生產單晶硅的熔料工藝，其特征在于，當原料硅發生塌料后，石英坩堝上沿粘有固體原料硅時，還包括以下步驟：將加熱器功率由77KW-83KW降至75KW-80KW的范圍內，將石英坩堝的轉速由0.5rpm/min-1rpm/min升至5rpm/min-7rpm/min，并保證粘有原料硅的位置不接觸導流筒下沿的前提下，使石英坩堝逐步上升，維持此狀態直到粘在石英坩堝上沿的粘料掉落。

3.根據權利要求2所述的生產單晶硅的熔料工藝，其特征在于，當發生塌料的原料硅完全熔化后，粘在石英坩堝上沿的粘料還未熔化時，還包括以下步驟：將石英坩堝的位置降低最低位置，使加熱器功率升至82KW-88KW，石英坩堝的轉速在2rpm/min-10rpm/min的范圍內連續變動，直至粘料從石英坩堝上沿掉落。

4.根據權利要求3所述的生產單晶硅的熔料工藝，其特征在于，在石英坩堝轉速連續變動的過程中，石英坩堝高轉速運行的時間為10s-30s，低轉速運行的時間在30s-60s之間。